全“芯”全意 “芯”存天宇 中天弘宇-自主原創(chuàng)先進(jìn)存儲技術(shù)發(fā)布會

時(shí)間:2021-08-26

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導(dǎo)語:中天弘宇集成電路有限責(zé)任公司(簡稱:中天弘宇)于2021年8月22日在上海召開“自主原創(chuàng)先進(jìn)存儲技術(shù)”暨90nm BCD工藝平臺上的MTP IP產(chǎn)品的發(fā)布會。

       中天弘宇集成電路有限責(zé)任公司(簡稱:中天弘宇)于2021年8月22日在上海召開“自主原創(chuàng)先進(jìn)存儲技術(shù)”暨90nm BCD工藝平臺上的MTP IP產(chǎn)品的發(fā)布會。中國工程院院士倪光南等專家,上海市、浦東新區(qū)等有關(guān)部門,國際半導(dǎo)體協(xié)會等行業(yè)組織,上海科創(chuàng)投、張江集團(tuán)、浦東科創(chuàng)等有關(guān)方面,華虹集團(tuán)、上海集成電路研發(fā)中心、新思科技、瑞薩電子、恩智浦、博世,南芯半導(dǎo)體、英唐智控、華大半導(dǎo)體、江波龍、紫光展銳、矽致微電子等一批產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)及投資機(jī)構(gòu),參加了中天弘宇本次的技術(shù)發(fā)布會。

  倪光南院士在視頻致辭中,高度評價(jià)中天弘宇“二次電子倍增注入浮柵”技術(shù)是一項(xiàng)重大發(fā)明,實(shí)現(xiàn)了中國存儲器底層技術(shù)零的突破。希望中天弘宇與集成電路行業(yè)企業(yè)一起發(fā)奮努力,設(shè)計(jì)創(chuàng)新更多自主原創(chuàng)的產(chǎn)品,提高自主原創(chuàng)存儲器的市場份額,解決存儲器的被動局面。南芯半導(dǎo)體、英唐智控、華大半導(dǎo)體、江波龍、紫光展銳、矽致微電子等集成電路企業(yè)表示了對中天弘宇先進(jìn)存儲技術(shù)的持續(xù)關(guān)注和合作意愿。

  中天弘宇張佳董事長回顧中天弘宇進(jìn)入集成電路行業(yè)七年來的奮斗歷程,對方方面面給予的支持表示感謝。中天弘宇副總裁、CTO聶虹先生介紹了“二次電子倍增注入浮柵”的原理及重大意義,以及與傳統(tǒng)技術(shù)的區(qū)別及優(yōu)勢,并對中天弘宇未來技術(shù)及產(chǎn)品的發(fā)展規(guī)劃做了介紹。

  本次發(fā)布會還邀請新思科技中國董事長兼全球資深副總裁葛群、國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會中國區(qū)總裁居龍、南芯半導(dǎo)體市場總監(jiān)劉崇和資深工藝專家官浩等,共同研討了國內(nèi)先進(jìn)存儲技術(shù)和產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展?fàn)顩r,針對產(chǎn)業(yè)鏈融合、工藝實(shí)現(xiàn)、市場推廣、融資策略等方面,提出了真知灼見。

  技術(shù)優(yōu)勢及背景資料

  中天弘宇創(chuàng)造性地對閃存存儲進(jìn)行了重構(gòu),突破了20多年來阻礙閃存存儲技術(shù)縮微擴(kuò)容發(fā)展的瓶頸,使得其在同樣的工藝條件下,可以做到大容量、小面積、低功耗,且有效的解決大規(guī)模數(shù)據(jù)存儲、運(yùn)行一體化的技術(shù)性難題,為人工智能、AI、新型FPGA等發(fā)展,提供可靠、高效的存儲技術(shù)解決方案。

  中天弘宇以“二次電子倍增注入浮柵”原理為基礎(chǔ),以自主、原創(chuàng)、可控的知識產(chǎn)權(quán)專利發(fā)明為契機(jī),實(shí)現(xiàn)了中國存儲芯片領(lǐng)域原創(chuàng)專利“零的突破”,并進(jìn)一步拓展應(yīng)用領(lǐng)域及國際市場,協(xié)同EDA工具、應(yīng)用設(shè)計(jì)、制造、封裝、測試一體化發(fā)展,為全球數(shù)字信息化浪潮提供優(yōu)質(zhì)的存儲及存算一體化解決方案。

  中天弘宇研發(fā)成功的新型快閃存儲器具有以下突出的特性和前景:

  ■ 完整自主知識產(chǎn)權(quán)體系

  ■ 先進(jìn)高效閃存研發(fā)成果

  ■ 創(chuàng)新存算一體解決方案

  ■ 關(guān)鍵環(huán)節(jié)配合協(xié)同發(fā)展

  中天弘宇充分運(yùn)用“二次電子倍增注入浮柵” 的物理現(xiàn)象,并利用其進(jìn)行了創(chuàng)新結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),初步構(gòu)建了擁有國內(nèi)、國際完整自主知識產(chǎn)權(quán)專利的系列新型高性能快閃存儲器產(chǎn)品,“在非易失存儲領(lǐng)域?qū)賴H首創(chuàng)技術(shù)”。該項(xiàng)發(fā)明成果已在中、日、美、韓和中國臺灣地區(qū)申請了成體系的原創(chuàng)性發(fā)明專利,其中多項(xiàng)核心專利已獲批,專利體系化建設(shè)在不斷完善之中。

  中天弘宇“二次電子倍增注入浮柵”技術(shù)是一項(xiàng)前所未有的創(chuàng)新實(shí)踐,先進(jìn)存儲技術(shù)在90nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)流片成功是一個(gè)重要的里程碑。中天弘宇還將進(jìn)一步積聚集成電路全行業(yè)工程技術(shù)專家的智慧,爭取應(yīng)用和市場持續(xù)不斷的支持,開拓存儲技術(shù)的運(yùn)用范圍,擴(kuò)大存儲器系列產(chǎn)品,為國家創(chuàng)造更多自主原創(chuàng)技術(shù)和產(chǎn)品。

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