現在，該公司CEO帕特·基爾辛格(Pat Gelsinger)和技術開發高級副總裁安·凱勒(Ann Kelleher)終于披露了未來計劃。
首先，英特爾已經不再沿用之前的產品命名方式。他們之前將10納米芯片命名為“Enhanced Superfin”，現在直接改名為“7”。這或許給人感覺有點名不副實，強行抬高自己的身價，因為7很容易讓人誤以為是7納米產品。
但公平地說，生產工工藝的納米級別現在已經不能真正對應物理狀態了。而且從密度上看，英特爾目前的10納米芯片是可以跟臺積電和三星的7納米芯片競爭的。
在7納米之外，英特爾目前制定了非常激進的年度產品更新計劃，預計該公司今年秋天將推出Alder Lake芯片，將高功率和低功率核心融合在一起。之后則是將目前的4納米Meteor Lake芯片遷移到tile設計，并融合英特爾的3D堆疊芯片技術Foveros。
除此之外，英特爾還為基于EUV的3納米芯片設計了一項技術，將會使用高能制造工藝簡化芯片制造流程，并為埃米級技術規劃了“20A”的入門單位。1埃米等于1/10納米，所以20A的意思就是2納米，此后還有18A。18A產品預計將從2025年開始投入生產，相應的產品將在2025至2030年間面市。
另外，雖然這些工藝水平已經不再直接對應實際的物理結構，但一個硅原子確實只在2埃米寬的范圍內，因此的確是非常小的晶體管了。
這項計劃看似非常激進，而且英特爾以往達成這類目標方面表現不佳。但即使能夠接近這些目標，未來幾年的筆記本電腦和臺式機也將迎來巨大的性能提升。
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