【三星電子宣布正式量產以10納米制程技術打造的32GB DDR4存儲器】三星電子30日宣布，已開始正式量產全球首款32GB容量、適用于小型雙列直插式存儲器模組（SoDIMM）規格的電競筆電DDR4存儲器。而新的SoDIMM存儲器模組是以10納米制程技術打造，可以用戶享受豐富的電競游戲之外，并具有更大的容量與更快的速度，而且傭有更低的耗能表現。
三星指出，透過使用新的存儲器解決方案，個人電腦制造商可以設計速度更快，針對頂級游戲的電競筆電產品。其電池續航時間可以較過往產品更長，甚至超越傳統的移動工作站的效能，卻同時保持現有的筆電的輕巧配置。三星電子存儲器市場高級副總裁SewonChun指出，三星的32GBDDR4DRAM存儲器將會為筆記本電腦帶來前所未有的游戲體驗。而且，三星還將繼續為包括高接筆記本電腦，臺式機在內的所有分眾市場提供最先進的DRAM產品組合，并提高其速度和容量。
新推出的32GBDDR4DRAM存儲器模組，與三星本身在2014年推出，以20納米制程技術所生產的速度8GB，容量為16GbDDR4SoDIMM相比，新款32GB存儲器模組除了容量增加一倍之外，速度也提高了11％，能效提高了約39％。根據測試，配置有兩個32GBDDR4存儲器模組的64GB容量筆電，其在主動模式下，功耗不到4．6瓦（W），閑置時功耗更低于1．4W。與目前配備16GB存儲器模組，針對電競市場的筆記本電腦相比，分別降低了大約39％，以及降低超過25％的用電量。
三星進一步指出，目前已經開始積極擴展其10納米等級制成的DRAM陣容。其中，包括了16GbLPDDR4，16GbGDDR5和16GbDDR4等產品。這對于未來在移動、圖形、個人電腦和服務器領域迎接速度16GbDRAM的新時代，以及應用在包括高效能運算及汽車電子等領域將會有很大的性能提升助益。
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