德州儀器（TI）（NASDAQ：TXN）近日宣布推出兩款新型高速氮化鎵（GaN）場效應晶體管（FET）驅動器，進一步擴展了其業內領先的GaN電源產品組合，可在激光雷達（LIDAR）以及5G射頻（RF）包絡追蹤等速度關鍵應用中實現更高效、性能更高的設計。LMG1020和LMG1210可在提供50MHz的開關頻率的同時提高效率，并可實現以往硅MOSFET無法實現的5倍更小尺寸解決方案。

憑借業內最佳的驅動速度以及1ns的最小脈沖寬度，LMG102060-MHz低側GaN驅動器可在工業LIDAR應用中使用高精度激光器。小型晶圓級芯片（WCSP）封裝尺寸僅為0.8mmx1.2mm，有助于最大限度地減少柵極環路寄生和損耗，進一步提升效率。

LMG1210是一款50-MHz半橋驅動器，專為高達200V的GaN場效應晶體管而設計。該器件的可調死區時間控制功能能夠將高速DC/DC轉換器、電機驅動器、D類音頻放大器及其它功率轉換應用效率提高多達5%。設計人員可利用超過300V/ns的業內最高共模瞬態抗擾度（CMTI）實現較高的系統抗噪聲能力。

LMG1020和LMG1210的主要特點和優勢

高速：這兩款器件可提供超高速傳播延遲（2.5ns[LMG1020]和10ns[LMG1210]），使電源解決方案比采用硅驅動器快50倍。另外，LMG1020能夠提供高功率1ns激光脈沖，實現遠程LIDAR應用。

高效率：這兩款器件均可實現高效率設計。LMG1210提供1pF的低開關節點電容和用戶可調的死區時間控制，可將效率提高多達5%。

功率密度：LMG1210中的死區時間控制集成功能可減少元件數量并提高效率，使設計人員能夠將電源尺寸降低多達80%。功率密度增加的LMG1020，使LIDAR具有業內最小封裝和最高分辨率。

TIGaN產品的優勢

LMG1020和LMG1210是業界最大的GaN電源產品組合中的最新成員，從200V驅動器到80V和600V功率級。憑借超過1,000萬小時的GaN工藝可靠性測試，TI提供可靠的GaN產品以滿足對成熟和即用型解決方案的需求，為GaN技術帶來數十年的硅制造專業技術和高級器件開發人才。

加快設計所需的支持和工具

設計人員可以使用LMG1020EVM-006和LMG1210EVM-012評估模塊和SPICE模型快速輕松地評估這些新器件。工程師可以利用LIDAR的納秒激光驅動器參考設計和高速DC/DC轉換器的多兆赫GaN功率級參考設計，快速開始他們的氮化鎵設計。

封裝和供貨情況

LMG1020和LMG1210的原型樣品現已在TI商店和公司的授權分銷網絡上提供。LMG1020采用WCSP封裝，而LMG1210采用四方扁平無引腳（QFN）封裝。