過去中芯國際就曾侵犯臺積電的邏輯制程專利，至于在內存技術上，專利既多且廣，美、日、韓等大廠都已累積數十年基礎，未來中國企業將面臨新一波專利訴訟。

從技術與產品來看，許多大陸公司因為無法取得授權，只能靠挖角日、韓及臺灣團隊，想辦法拼湊組合。以DRAM為例，目前代表性公司合肥長鑫，就從南韓SK海力士、日本爾必達及臺灣華亞科挖角，其中華亞科前資深副總劉大維也被延攬。

至于3DNANDFlash代表企業武漢新芯，已和紫光集團合組長江存儲，技術來源就是已并入賽普拉斯（Cypress）的飛索半導體（Spansion）。不過，雙方合作傳聞都還沒動靜，日前長江存儲還發布新聞稿澄清，表示從未發表過32層3DNANDFlash今年量產的消息，未來后續發展恐怕須再觀察。

根據ICInsights2月公布的報告，大陸半導體業倚賴挖角與模仿建立技術基礎，是冒著極大的專利侵權風險；過去中芯就曾侵犯臺積電的邏輯制程專利，至于在內存技術上，專利既多且廣，美、日、韓等大廠都已累積數十年基礎，未來大陸企業將面臨新一波專利訴訟。ICInsights也預期，大陸想在二五年達到半導體自給自足目標，難度相當大。

華中科技大學微電子學院執行院長鄒雪城說，大陸在半導體行業摸索多年，如今已找到較正確且成功的模式，在中國政府支持下，武漢已成為發展國家儲存器的重鎮，「這項任務既十分光榮，也十分艱巨，需要下定決心，爭一口氣。」

鄒雪城目前身兼武漢國家集成電路人才培養基地主任、武漢集成電路設計工程技術研究中心主任，十多年前，他曾代表武漢與國際半導體廠進行合作談判，也曾投票反對武漢新芯成立的必要性，原因是當時產業發展的環境與條件都不成熟，而且規模太小，還采取由中芯托管的方式，成功機會不高；不過，如今他認為環境、條件都成熟了，因此積極推動武漢參與國家240億美元存儲器的計劃。

中國科學院院士、西安電子科技大學副校長郝躍表示，他多年來與臺灣半導體公司交流，對臺灣從業人員的敬業態度印象深刻，這也是大陸產業界可以好好學習的。郝躍也不諱言，大陸在大舉投入半導體建設的同時，也要注意人才不足的問題。郝躍早在2000年就投入氮化鉀（GaN）半導體材料的研究，在沒經費、沒基礎的情況下，自己做設備并成功開發產品，他帶領的團隊如今都是大陸半導體業的重要人才。

更多資訊請關注電力電子頻道