據報道，傳三星電子于2017~2018年，將大舉追加投資西安3DNANDFlash廠，業界人士預估共將投資約5兆韓元（約43.5億美元），以迎接存儲器市場史上最大需求熱潮。
ChosunBiz日前引述業界消息指出，三星與大陸政府正針對西安廠第二期投資進行商議，2017年三星可望與西安市簽署第二期投資及相關合作備忘錄。三星于2012年開始在西安廠的第一期投資與現在的第二期投資，皆用于打造3DNANDFlash生產所需設備及人力費用。
三星目前只使用西安廠腹地約34萬坪中的20%，且現有設備的產量已達理論最大值。設備業者認為，三星西安廠啟動3年后的現在，以投入晶圓為基準計算，其3DNANDFlash晶圓月產能為12萬片。
專家推測，西安廠與韓國華城廠L12、L16并列三星NANDFlash三大生產據點，平澤廠將于2017年第1季正式稼動，加上西安廠第二期稼動后，三星勢必需調整其產能分配。
半導體業界相關人士認為，三星3DNANDFlash未來生產很可能以大陸西安廠及韓國平澤廠為主，并將其目前最大NANDFlash工廠L12部分產能轉為生產系統LSI或DRAM等產品，逐漸降低NANDFlash產量。
DRAMeXchange分析三星產能移轉狀況，指出L12于2016年第4季晶圓月均產能達19萬片高峰后，2017年第1季預估為17萬片，第3季以后將減至12萬片；三星NANDFlash生產基地將階段性轉移至平澤廠及西安廠。
專家指出，存儲器市場2017年起進入前所未有的超級周期（SuperCycle）是促使三星增加設備投資的主因。存儲器市場一般以3~4年為周期，交替出現熱況與萎縮，超級周期指出現長期熱絡的狀況。
韓國存儲器業者表示，過去存儲器應用主要限于電腦、智能手機等裝置，可直接掌握市場需求變化，隨近來包括服務器、汽車、大數據、物聯網與人工智能（AI）等領域市場擴大，對NANDFlash需求也進一步提升。
預估，2017年存儲器市場規模將達853億美元，較2016年773億美元成長10.3%，至2021年可望擴大至1099億美元的規模，年均成長率將達7.3%。
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