9 月8日 — 推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，今日宣布公司新的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)系列，NGTB40N120FL3WG、 NGTB25N120FL3WG 和NGTB40N120L3WG獲2016年度“Top 10電源產品獎”，這是由《今日電子》與21IC中國電子網聯合舉辦，于電子業備受認同的確定高品質產品的一個基準。

這些1200伏特(V) IGBT利用安森美半導體專有的超場截止溝槽技術并符合現代開關應用的嚴格要求，如不間斷電源、太陽能逆變器和焊接。它們能實現領先行業的總開關損耗(Ets)特點，顯著提升的性能部分歸因于極寬的高度觸發的場截止層及優化的共同封裝二極管。

安森美半導體功率分立器件分部副總裁兼總經理Asif Jakwani說：“我們很高興公司新的超場截止1200 V IGBT獲得Top 10電源產品獎，認可了我們為大功率開關系統在電源能效設立的新基準。安森美半導體已投入可觀資金，利用我們專有的超場截止溝槽技術設計IGBT器件，完美地平衡VCEsat和Ets，降低開關損耗，增強電源能效，提供強固工作和高性價比。”

每年的Top 10電源產品獎項需通過專家評委會嚴格的評估和推薦程序鑒別一系列電源產品。評審提名產品的3個主要標準為：創新設計、性價比及技術突破。

關于安森美半導體

安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)致力于推動高能效電子的創新，使客戶能夠減少全球的能源使用。安森美半導體領先于供應基于半導體的方案，提供全面的高能效電源管理、模擬、傳感器、邏輯、時序、互通互聯、分立、系統級芯片(SoC)及定制器件陣容。公司的產品幫助工程師解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業、醫療、航空及國防應用的獨特設計挑戰。公司運營敏銳、可靠、世界一流的供應鏈及品質項目，一套強有力的守法和道德規范計劃，及在北美、歐洲和亞太地區之關鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處及設計中心在內的業務網絡。更多信息請訪問http://www.onsemi.cn。

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