一年一度的內存峰會（FlashMemorySummit）于當地時間8月9日至11日，在美國加州圣克拉拉舉行。全球閃存領軍企業齊聚一堂，紛紛推出巿場最新閃存技術及產品。在設計和推廣固態存儲設備專用NAND閃存控制器方面處于全球領導地位的慧榮科技公司（SiliconMotionTechnologyCorporation,納斯達克交易代碼:SIMO）在本次峰會中展出首款PCIeSSD控制芯片解決方案SM2260，作為PCIe3.0NVMe1.2的控制芯片，SM2260為8通道設計，最高可支持2TB容量。

圖一：慧榮科技展出SM2260解決方案

在本次展會中，我們還可以看到此款SM2260搭配3DNAND的效能表現：讀取速度可達2370MB，輸寫速度為1039MB，讀寫表現可圈可點。另外，SM2260控制器采用了RAID保護功能的專有NANDXtend?技術，有效提升解錯能力，并確保數據的完整性。該款產品經過多項兼容性及穩定測試后才得以上巿，可謂眾望所歸。根據慧榮科技工作人員表示，SM2260已經被知名SSD廠商所采用，很快就會在巿場上看見。

圖二：SM2260控制芯片各方面性能表現

除了SM2260PCIeSSD主控芯片外，慧榮科技還介紹了新推出的搭載3DTLCNAND的SM2258控制器，性能表現同樣出色，完勝巿場上大多數SATASSD。

圖三：SM2258控制芯片各方面性能表現

另外，在本次閃存峰會上，寶存科技也展出企業級SSD解決方案。

圖四：寶存科技展臺

寶存科技攜ShannonDirect-IO?PCIeFlash及U.2(8639)PCIeFlash產品再度亮相閃存峰會。該系列產品不僅性能上不斷完善，而且閃存顆粒工藝也由19/20nm更換為15nm，從成本上滿足了企業對高性價比的追求。

圖五：寶存科技推出的ShannonDirect-IO?PCIeFlash系列

圖六：寶存科技推出的ShannonDirect-IO?U.2(8639)PCIeFlash系列

寶存科技預計將于今年下半年發布遵循NVMe標準的PCIeFlash產品，在本次展會現場可以找到該款產品的相關資料。寶存科技的NVMe是遵循PCIe標準的高速存儲設備。相比Direct-IO?PCIeFlash基于標準PCIe的高度可定制化架構，寶存科技的NMVe會擁有更好的通用性，并且在中小容量段更有應用的優勢。通過Direct-IO?和NMVe兩條PCIe產品線的構建，滿足不同用戶對不同場景的性能需求。

圖七：寶存科技NVMe產品性能數據

在今年全球閃存峰會中，除了一睹慧栄科技在閃存技術的優勢外，也可以了解慧栄過去十年的成果。慧榮科技致今已經銷售超過５０倍顆閃存相關主控芯片，成為全球銷售第一的王者品牌。

圖八：慧榮科技過去十年發展歷程

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慧榮科技是致力于設計、開發和推廣移動存儲與移動通信解決方案的全球IC設計領導廠商。在移動存儲市場，我們的產品主要為應用于諸如SSD和eMMC等嵌入式存儲設備以及可擴展存儲設備的控制器IC。在移動通信市場，我們的產品主要包括移動電視SoC以及其它特殊的射頻IC。慧榮科技產品廣泛應用于智能手機、平板電腦以及工業、企業和商業應用。更多慧榮科技相關信息請訪問www.siliconmotion.com。