2016年3月28日，世界級的國家存儲器基地項目在湖北武漢東湖高新區正式啟動，計劃5年內投資1600億元人民幣（約240億美元），到2020年形成月產能30萬片芯片的生產規模，到2030年建成每月100萬片芯片的產能。作為國家發展集成電路產業的重大戰略部署、湖北省改革開放以來單體投資最大的高新產業項目，將為我國提供打破主流存儲器領域空白、實現產業和經濟跨越發展的堅實支撐。

為保證該項目順利實施，國家集成電路產業投資基金股份有限公司、湖北省集成電路產業投資基金股份有限公司、國開發展基金有限公司、湖北省科技投資集團有限公司共同出資作為股東，在武漢新芯集成電路制造有限公司的基礎上組建一家存儲器公司，作為國家存儲器基地項目實施主體公司。

工信部副部長懷進鵬在致辭時表示，“國家存儲器基地項目的啟動，是我國信息技術產業在“十三五”開局之年抓機遇、補短板、推動重大生產力布局的戰略機遇，在我國集成電路產業發展史中具有里程碑意義。工信部將會同國家相關部委，堅定支持存儲器項目建設和相關產業發展。”

十年磨劍—武漢新芯承接存儲器基地項目的基礎

歷經10年發展，武漢新芯現已成為我國唯一以存儲器為主的集成電路制造企業。據悉，項目分期建造晶圓廠，生產3DNANDFlash。與平面（2D）相比，3DNAND技術更具有優勢，能利用立體空間提高存儲密度，并且在提高性能的同時降低成本。

武漢新芯集成電路制造有限公司執行副總裁/商務長陳少民先生接受記者采訪時表示，目前“中國光谷”已具備實施存儲器基地項目的五大基礎：

一、產業基礎。中國半導體在過去10年中同比成長18%，全世界的半導體成長則是跟著全球經濟的經濟發生變化，中國半導體產業發展驚人。本次基地項目預計2020年達到20萬片3D-NANDFlash晶圓及10萬片DRAM晶圓；12寸晶圓按照每片700顆芯片計算，年產能估算為25億顆芯片。據悉2018年二期、三期也將陸續啟動，總投資將近1600億人民幣。

二、技術基礎。武漢新芯多年來主要從事NORFlash閃存的芯片代工，在研發和生產過程中積累了豐富的實戰經驗，并且已與國內外知名廠商和研發機構開展合作。同時，東湖高新區已組建具備國際水平的集成電路工業技術研究院、集成電路IP交易中心、集成電路共享服務平臺，搭建產學研鏈條，為快速投入量產奠定了強大技術基礎。擁有自主知識產權，同時又打造了完整的產業鏈，自主技術可控、時間窗口適宜，是發展的絕佳時機。

三、資本基礎。省、市、區共同設立了500億元湖北集成電路產業專屬投資基金，用于建設存儲器生產研發以及產業鏈上下游項目。

四、人才基礎。首先，武漢新芯在楊士寧博士的帶領下，擁有一支實戰經驗豐富的研發和制造隊伍，為實施存儲器戰略提供有力保障。武漢新芯舉全球英才，更進一步引進國際化的技術團隊。與此同時，武漢科教實力雄厚，人才資源豐富，是中國三大智力密集區之一。東湖高新區半導體發展人才資源豐富，半導體行業工程技術和研究人員超過2萬人。其次，省、市和東湖高新區將制定切實可行的集成電路產業各層次專業人才引進方案和專項政策。近期重點為滿足存儲器基地項目需求，引進存儲器產業各個環節高層次人才。此外，還將依托區內高校和相關企業建設集成電路產業實訓基地，為存儲器基地項目定向培養一線研發制造專業人才。

五、市場基礎。存儲器是電子信息化產業的重要元器件之一，隨著汽車電子、醫療電子、消費電子（含智能終端）產業的迅速發展，尤其是日趨電子化的汽車領域，使得對存儲器的需求量迅速增加。目前，中國國內外多家知名智能終端龍頭企業和汽車生產商，對存儲器芯片的需求量極大，能快速形成產業鏈互補推動效應。武漢新芯已經和國內外多家產業鏈下游企業簽訂了合作協議和開展合作洽談，產品有了龐大市場需求的基礎。

戰略高地—打破存儲器進口依賴

集成電路產業是信息技術產業的核心，被稱為“工業糧食”和“生死攸關的工業”，是未來產業競爭、科技競爭、綜合實力競爭的制高點。若說集成電路產業是現代工業的糧食，那么存儲器在現階段就是糧食中的主糧。然而，這關乎國家信息安全的“糧食”，我國一直依賴進口。清華大學微電子學研究所所長魏少軍教授接受記者采訪時直言，“從某種意義上說，如果沒有芯片，整個信息產業就建在沙灘上。”

2014年全球存儲器市場規模約750億美元，約占全球集成電路市場份額的25%，同比增長約10%。我國是全球最大的電子信息產業基地，電子整機所用存儲器市場需求約2465.5億元，占我國集成電路市場規模的23.7%。2014年，我國集成電路進口額2176.2億美元，是我國進口額最大的產品，其中存儲器進口額占24.9%。近幾年中國集成電路產業持續保持高速增長，近十年平均增長率18%，而全球平均增長率僅有3.5-6%。

彎道超車—本土“智造”把握歷史新機遇

“全球集成電路產業面臨新的轉折點，這為我國集成電路彎道超車提供了機遇。”中國科學院微電子研究所所長葉甜春表示，這承載了國家自主創新的使命，隨著物聯網、大數據產業的發展，存儲芯片的需求還將激增，中國必須有企業站出來填補空白，搶占市場。

武漢新芯集成電路制造有限公司執行副總裁/商務長陳少民先生接受記者采訪時表示，“NANDFlash可廣泛應用于智能終端、云計算、IOT等領域，每年市場增長超過10%。目前3D-NANDFlash市場份額占存儲器總市場的11-13%，到2020年中國市場占據其中的40-50%；2D-NANDFlash目前已經到達了物理極限，可以說該項目是我國集成電路產業彎道超車的絕佳時機，未來即使滿產也還遠遠滿足不了國內市場需求，市場潛力巨大。”

據悉，自2015年武漢新芯與美國Spansion公司宣布合作開發與生產3DNAND閃存技術，同時簽署共同開發和交叉授權協議。雙方在3DNAND項目研發取得了突破性進展。陳少民先生回應稱，“武漢新芯與競爭對手的差距只有一代半，我們有信心在三代產品后趕上國際廠商”。

打造存儲器產業生態鏈——國家大力發展存儲器芯片的意義

存儲器發展于上世紀60年代的美國，80年代日本企業抓住商業計算機發展機遇，實現存儲器發展，進而走向集成電路強國；90年代韓國企業抓住個人計算機、消費電子發展機遇，集中資源、持續支持，奠定了現在存儲器強國的地位。國家存儲器基地項目的啟動，不僅僅是再投資建設一個12英寸晶圓代工廠，更重要的是打造完整的存儲器產業生態鏈，包括EDA軟件、芯片設計、晶圓制造、封裝測試、應用方案及相關設備材料等環節，真正意義上的實現本土“智造”。

深圳市硅格半導體股份有限公司是一家專注于固態存儲控制領域，是全球重要的閃存（NANDFlash）控制芯片供應商，產品包括SSD、eMMC、SD、USB閃存盤等控制芯片。固態硬盤（SSD）以及手機是NANDFlash最主要的兩塊應用，2014年這兩者的消耗量超過了66%，預計2018年這個數據將會達到78%。深圳市硅格半導體有限公司總經理吳大畏先生接受記者采訪時表示，“通過與武漢新芯的合作，國產存儲控制芯片公司將獲得前所未有的趕超國際同行的發展機會，硅格半導體的閃存控制芯片將率先支持武漢新芯的3DNANDFlash存儲器，為全球市場更有競爭力的存儲解決方案。”

此外，深圳市江波龍電子有限公司總經理李志雄先生表示，“武漢新芯3DNANDFlash項目對FLASH的國產化具有重要意義，其產品能夠廣泛應用于江波龍現有的4條存儲產品線。江波龍專注于FLASH存儲產品的研發和銷售，深刻掌握FLASH控制核心技術和算法，江波龍的產品包括USBDisk、MicroSD、eMMC和SSD。”

東電電子上海戰略市場總監錢立群先生接受記者采訪時表示，“無論從國家戰略還是市場需求來看，對中國來說存儲器都是很必要的產品。這次武漢項目啟動儀式上，各界領導和業界巨頭紛紛前來捧場，可見對這個項目寄予了極高的厚望。國內對存儲器項目的重視固然值得欣喜，但我們也應看到，存儲器相對于logic、Foundry，國際化壟斷更高、投資更大、壁壘更高，因此存儲器項目今后要走的是一條充滿挑戰之路。因此絕對不能閉門造車，也要盡量少走彎路少試錯，必須要利用上下游供應鏈和全球產業鏈的資源，聚合眾人之力才有望推動其發展。東電電子(TEL)作為一家國際領先的半導體設備供應商，目前正在與武漢存儲器項目接洽合作事宜，希望能為國內的存儲器產業的建設和發展貢獻力量。”

中國“智造”——前所未有的發展機會

雖然近些年，國內集成電路產業發展突飛猛進，自給率逐年提高。但不可忽視的現狀是，這些國產芯片的成功應用大多在消費類領域。在對穩定性和可靠性要求很高的通信、工業、醫療以及軍事的大批量應用中，國產芯片距離國際一般水平差距較大。尤其是一些技術含量很高的關鍵器件：CPU、存儲器、大規模FPGA、高速高精度ADC/DAC等領域，還完全依賴美國供應商。前不久的中興事件給中國通信行業再次敲響了警鐘：缺乏核心技術，中國或將進一步加快開發自主高端芯片的步伐。

就在存儲器基地項目啟動的同一天，還有另一家海外派晶圓廠開工——TSMC臺積電在南京投資的12寸晶圓廠恰好也是在28日動工。此工程是TSMC首次進軍大陸，投資額高達30億美元，而且直接會使用先進的16nm工藝。臺積電董事長張忠謀表示，“近年來大陸半導體市場成長快速，臺積電在南京設立十二寸廠與設計服務中心，就是為了就近協助客戶并進一步增加商機，期待未來能與客戶更緊密結合，讓臺積電在大陸的市占率持續成長。”

綜上所述，中國集成電路產業面臨巨大的競爭壓力和發展契機，中國“智造”必將完成華麗轉型，群雄并起的時代已經來臨，讓我們拭目以待！

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