日本新能源及產業技術綜合開發機構(NEDO)2014年8月15日宣布，將啟動功率電子領域的4個新項目。其中包括3個資助項目，內容是開發使用SiC功率半導體的應用系統，還有1個委托項目，內容是開發性能達到或超過SiC功率半導體的新一代Si功率半導體。
這4個項目件是NEDO“實現低碳社會的新一代功率電子項目”(2009～2019年度)中的一部分。各項目的課題名稱和內容如下。
“推動全球功率電子發展的新一代功率模塊的研究開發和日本型生態系統的構筑”(資助對象：富士電機)
目標是短期內開發出低成本的新一代功率模塊，構筑可實現相關開發的生態系統，在純電動汽車(EV)及新能源等領域引領全球的發展。
“使用SiC功率器件的超高效率車載電動系統的開發”(資助對象：電裝)
目標是開發出運用基于SiC功率半導體的逆變器、不需要升壓轉換器的PCU(PowerControlUnit)，使車載電動系統的效率大幅提高。
“高輸出功率密度、高耐壓SiC功率模塊的開發”(資助對象：三菱電機、三菱材料、電氣化學工業、日本精細陶瓷、同和電子)
目標是開發出具備全球最高水平的功率輸出密度和耐壓的SiC功率模塊，使鐵路車輛的逆變器實現小型化和輕量化。
“新一代Si-IGBT及其基本應用技術的研究開發”(受托方：東京大學)
目標是運用材料技術和工藝技術，開發出耐壓及電流密度與現行SiC功率半導體同等或更高的Si-IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)及其周邊技術。
網站客服
粵公網安備 44030402000946號