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多家發表高耐壓SiC IGBT

時間：2014-10-11

來源：網絡轉載

導語：日本產業技術綜合研究所的研究小組試制出了耐壓16kV的n通道SiCIGBT，并介紹了其特性評估結果(演講序號：WE-P-70)。該器件可在室溫至250℃的溫度范圍內驅動6.5kV、60A的開關電路。

要實現電網的高度發展及低損失化，需要使用耐壓超過10kV的功率元件。在SiC領域，適合用作超高耐壓元件的雙極元件方面的研究日益活躍。在SiC及相關材料學會“ECSCRM2014”(9月21～25日，法國格勒諾布爾)上，發表了多篇關于耐壓超過10kV的SiC雙極元件的論文。

比如，美國科銳公司(Cree)與美國陸軍研究所聯合試制出了耐壓27kV、額定電流為20A的n溝道SiCIGBT(演講序號：TH3-OR-02)。27kV的耐壓在迄今為止發布的IGBT中是最高的。研發人員不僅驗證了其靜態特性，還證實可將該IGBT應用于開關電路，實現14kV、3kHz以上的開關性能。

日本產業技術綜合研究所的研究小組試制出了耐壓16kV的n通道SiCIGBT，并介紹了其特性評估結果(演講序號：WE-P-70)。該器件可在室溫至250℃的溫度范圍內驅動6.5kV、60A的開關電路。

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