中國上海，2014年9月23日–日本半導體制造商株式會社東芝（Toshiba）旗下東芝半導體&存儲產品公司宣布，東芝超級結MOSFET榮獲“2014年度中國電子成就獎”的“年度優秀產品獎”。由環球資源GlobalSources旗下領先行業媒體《電子工程專輯》、《國際電子商情》及《電子技術設計》共同頒發的“2014中國年度電子成就獎”（TheChinaAnnualCreativityinElectronicsAwards2014）頒獎典禮于9月2日在“第十九屆IIC-China”（IIC-China研討會暨展覽會）期間舉辦。

超級結MOSFET

東芝在電源AC-DC轉換中使用的高壓MOSFET（HV-MOSFET）方面開發出超級結MOSFET，稱此結構為DeepTrenchMOSFET（DT-MOS）。目前東芝正在擴充第四代產品，與前三代開發出的DT-MOS制造工藝有所不同，從多層外延（Multi-Epi）到單層外延（SingleEpi）可以說是一個很大的改變。由于制造工藝的難度很大，如今采用單層外延構造的生產廠家逐漸減少，而東芝至今在單層外延型構造方面仍進行著積極的開發。由于采用單層外延構造，可實現FET的細微化，而且在縱向上控制了不純物濃度，從而實現了高壓和低導通電阻的并存。與多層外延相比，可將高溫下的Ron變化控制在最小范圍。隨著開關噪聲的低EMC等需求增加，東芝還準備了控制開關速度dv/dt降低噪聲Qgs=110nC的DTMOSⅣ和追求高速開關特性Qgs=85nC的低容量型DT-MOSⅣ-H這兩種工藝來滿足客戶的需求。

東芝超級結MOSFET

關于“2014年度中國電子成就獎”

“中國年度電子成就獎”由環球資源旗下領先電子行業媒體電子工程專輯、國際電子商情及電子技術設計共同舉辦，旨在表彰對中國電子產業及技術發展做出貢獻的人士及企業。其中，“公司”、“技術”及“產品”等獎項由三個專業媒體的電子工程設計和電子企業管理者社群在線投票決定，分析師推薦獎項由分析師團隊投票選出。