今年展出的產品范圍跨越六大領域，包括：工業應用、變頻家電應用、可再生能源應用、鐵路牽引和電力應用、電動汽車應用以及碳化硅器件應用。

在新產品方面，這次展出的全新第7代IGBT模塊，適合應用在工業驅動和太陽能發電上。它采用了第7代IGBT硅片和二極管硅片;具有650V、1200V和1700V三種電壓等級;提高利用門極電阻優化dv/dt的可控性;涵蓋模塊電流75A至2500A;繼承傳統的三種封裝，適應不同的結構設計需求;采用預涂熱界面材料，降低模塊與散熱器的接觸熱阻。

在高端變頻器和伺服驅動器應用方面，三菱電機這次推出的G系列IPM(智能功率模塊)，采用第7代CSTBTTM硅片，進一步降低損耗;采用更適合伺服驅動應用的窄長形封裝;兼容控制管腳和現有L1系列相同。

對于鐵路牽引和直流輸電應用，新推出了X系列HVIGBT。其采用了最新一代HVIGBT，進一步提升3.3kV/4.5kV/6.5kV的電流等級;應用第7代IGBT和RFCDiode硅片技術，實現更低飽和壓降和開關損耗;采用針對電力傳輸應用的6500V/1000A單管HVIGBT。

在電動汽車應用上，最新的J1系列EVT-PM模塊，采用Pin-fin底板的六合一汽車用IGBT模塊;應用低損耗的第7代IGBT硅片技術;與傳統結構相比，熱阻降低40%，安裝面積減小40%;適合體積緊湊的電動車。

另外，針對太陽能發電，三菱電機還展出三電平逆變器用IGBT模塊，它的特色是低損耗、低電感、高絕緣和易并聯，能完全滿足正在發展的太陽能發電市場的需要。

在碳化硅器件應用方面，三菱電機今年將繼續展出四款產品，包括用于變頻空調的混合碳化硅DIPIPMTM、用于伺服驅動器的混合碳化硅IPM、用于新能源發電的全碳化硅MOSFET模塊、以及用于鐵路牽引的混合碳化硅HVIGBT。

與傳統的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有關斷拖尾電流極小、開關速度快、損耗低、耐高溫的特性。采用碳化硅功率器件開發電力電子變流器，能提高功率密度，縮小裝置體積;提升變流器效率;提高開關頻率，縮小濾波器體積;確保高溫環境下運行的可靠性;還易于實現高電壓大功率的設計。碳化硅功率器件可廣泛用于節能、高頻和高溫三大電力電子系統。

為了方便客戶采用新型功率模塊開發變流器產品，三菱電機還將展示多種一體化應用解決方案，包括基于新MPD的風電用MPDStacK;基于新MPD的500kW光伏逆變器功率組件;基于工業用小型DIPIPMTM的伺服驅動器解決方案;基于第6代DIPIPMTM的通用變頻器解決方案;基于第6代DIPIPMTM的變頻空調壓縮機驅動解決方案;基于MOSDIPIPMTM的變頻冰箱壓縮機驅動解決方案;及J1系列EVT-PM測試套件。

作為全球首家掌握功率半導體硅片技術和封裝技術的公司，三菱電機將積極致力于基于新材料的開發和應用，努力為電力電子業界奉獻高性能和高可靠性的功率半導體模塊。