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節能核心技術獲國家扶持 功率半導體產業進黃金期

時間:2014-01-13

來源:網絡轉載

導語:政策扶持的重點將主要集中于集成電路的設計和制造方面,尤其是本土自主核心產業龍頭企業,功率半導體將迎來重要戰略機遇期和黃金發展期。功率半導體是節能減排的關鍵技術和基礎技術,被大量應用于消費類電子、新能源汽車、光伏發電、風電、工業控制和國防裝備。

目前正在進行部際協調。政策扶持的重點將主要集中于集成電路的設計和制造方面,尤其是本土自主核心產業龍頭企業,功率半導體將迎來重要戰略機遇期和黃金發展期。功率半導體是節能減排的關鍵技術和基礎技術,被大量應用于消費類電子、新能源汽車、光伏發電、風電、工業控制和國防裝備。2013年以來我國大部分地區霧霾天氣頻發,在這種背景下,大規模使用功率半導體來提高能源效率、促進節能減排,也成為半導體行業發展的重要方向。

半導體功率器件的產品門類非常廣,主要包括功率MOS晶體管(PowerMOSFET)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、快恢復二極管(FRD),以及尚未得到大規模應用的采用SiC和GaN的新一代功率半導體。未來7年間,全球功率半導體銷售額的復合增長率三倍于整個半導體行業3%的營收增速。從國內的情況來看,隨著全球空調、節能電機等電子產品產能向國內轉移,功率半導體的需求也成倍的增加,僅IGBT產品的需求規模已經超過100億元,并且國內已經出現格力電器等消費IGBT模塊超過10億元的企業,我國已成為全球最大的功率半導體器件消費市場。

IGBT器件仍然嚴重依賴于國外公司,國產產品市場占有率不足10%。面對這種狀況,國內半導體企業關于IGBT的項目紛紛獲得政府補助,去年12月2日、23日,臺基股份的IGBT產業化項目連續獲得專項資金扶持,12月31日,士蘭微公告其“高壓IGBT芯片工藝技術開發及產業化”項目獲得國家專項資金扶持。

士蘭微在國家科技重大專項(研發多芯片功率模塊)的支持下,已成功地完成了高壓MOSFET、600V-1200VIGBT、FRD、600V-1200V高壓驅動集成電路、功率模塊等新技術新產品的研發,相關的產品已陸續開始投入市場,展現了很好的市場前景。

科陸電子作為智能電表行業的龍頭企業,積極拓展智能電網、節能減排和新能源等多個領域,已經成為節能減排領域的領先企業,也是發改委重點扶持的IGBT應用的重點探索企業。公司在2011年獲得科技部的專項資金用于碳化硅及硅基IGBT多芯片串聯模塊研發和測試平臺的建立。

華微電子自主研發的IGBT產品以及改進后的可控硅產品,也取得了一定程度的市場進展,開發出一些較大應用客戶群。此外,第三代MOSFET產品和TRENCH工藝平臺,在市場上得到了較高的認可度。

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