與現在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業也圍繞這些元件展開了激烈的開發競爭。

SiC功率半導體方面，在柵極設有溝道的溝道型MOSFET的開發在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進一步降低損耗。導通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也就是說，能夠削減成本。

由于溝道型MOSFET具有以上特點，日本各半導體廠商將其視作“可充分發揮SiC優勢的晶體管第一候選”，正式開始進行研究開發。這一動向在2013年9月29日～10月4日舉行的SiC相關國際學會“ICSCRM2013”上得到了充分體現。在此次會議上，各企業紛紛發表了溝道型SiCMOSFET的最新開發成果。比如羅姆、住友電氣工業及三菱電機等。其中，羅姆在實用化方面似乎走在前列。該公司將在2014年上半年推出柵極和源極都設有溝道的“雙溝道型”SiCMOSFET。

SiC備受汽車行業的期待。比如，電裝正在自主研發SiC基板和功率元件。當然，該公司也在開發溝道型MOSFET，并宣布將于2015年推出產品。

GaN功率元件方面，日本各大企業相繼發布了新產品，還有不少企業宣布涉足功率元件業務。其中，變化較大的是耐壓600V的GaN功率晶體管。耐壓600V的功率晶體管能夠應用于空調、電磁爐等白色家電，混合動力汽車和純電動汽車的逆變器，光伏逆變器及工業設備等輸出功率在數百～數萬W的功率轉換器。

以前，GaN功率晶體管的耐壓大都在200V以下，耐壓600V的產品達到實用水平的只有美國Transphorm公司一家。進入2013年，松下和夏普宣布涉足GaN功率元件業務，前者于2013年3月開始樣品供貨耐壓600V的產品，后者于2013年4月開始樣品供貨耐壓600V的產品。此外，國際整流器公司（IR）公司及EPC公司也在為實現耐壓600V產品的實用化而進行研發。

富士通半導體也已開始樣品供貨GaN功率晶體管，該公司于2013年11月與Transphorm公司簽訂了合并GaN功率器件業務的協議。雙方的業務合并后，將由Transphorm開發GaN功率器件，由富士通半導體制造。