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ST推出雙極功率晶體管 媲美MOSFET的能效且具備緊湊封裝

時間：2013-10-16

來源：網絡轉載

導語：在完全飽和狀態時，最大壓降是200mV，基極電流僅為10mA。等效導通電阻僅為90m?，接近同等級超級邏輯電平MOSFET的性能。

意法半導體的3STL2540提供雙極晶體管的成本優勢和硅面積使用效率，同時兼具同級MOSFET的能效，為設計人員提供一個節省空間的低成本的電源管理和DC-DC電源轉換器(DC-DCconverters)轉換解決方案。

3STL2540是一個-40V/-5APNP結晶體管，在完全飽和狀態時，最大壓降是200mV，基極電流僅為10mA。等效導通電阻僅為90m?，接近同等級超級邏輯電平MOSFET的性能。

ST推出雙極功率晶體管

3STL2540的核心技術是意法半導體的先進的雙金屬層平面基島工藝，在0.2到10V的寬輸出電壓下，溫度在-30°C到150°C范圍內，連續高電流增益(consistentlyhighcurrentgain，hFE)至少保持在100，創下業內這類器件最低的導通損耗記錄。高熱效率封裝PowerFLAT™僅0.6mm高，封裝面積為2mmx2mm，在最小的印刷電路板內實現高性能功率電路。

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