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中國發明新晶體管，集成電路研究取得新突破

時間：2013-08-12

來源：網絡轉載

導語：過去幾年的工藝進步，讓晶體管的尺寸不斷的縮小，越來越接近物理極限，這樣才迫切需求并催生出新的結構和原理的晶體管，半浮柵晶體管是在MOSFET晶體管中內嵌一個廣泛用于低功耗電路的裝置——隧穿場效應晶體管（TFET）制成。

根據新華社消息，在美國《科學》雜志刊登一個報告中，中國研究人員在成電路的基本單元晶體管研究上取得突破，發明了一種名為半浮柵晶體管的新型基礎微電子器件，可讓數據擦寫更容易、迅速。據了解，這項發明將有助于我國掌握集成電路的核心技術，讓中國的芯片設計和制造能力在國際上去的更多的話語權。

負責該項目的復旦大學教授王鵬飛說：“國集成電路產業主要依靠引進和吸收國外成熟的技術，在微電子核心器件及集成工藝上缺乏核心技術。半浮柵晶體管的成功研制將有助我國掌握集成電路的核心技術，從而在芯片設計與制造上逐漸獲得更多話語權。”

根據王鵬飛教授介紹，金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（MOSFET）是目前集成電路中的主流器件，過去幾年的工藝進步，讓晶體管的尺寸不斷的縮小，越來越接近物理極限，這樣才迫切需求并催生出新的結構和原理的晶體管，半浮柵晶體管是在MOSFET晶體管中內嵌一個廣泛用于低功耗電路的裝置——隧穿場效應晶體管（TFET）制成。它的優勢在于體積可更小，結構更簡單，讀寫速度更快，且一片這樣的晶體管的功效可比得上多塊MOSFET晶體管。

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