編者按：為跟上技術進步的發展步伐，2008年半導體生產設備、材料、零部件行業將出現新一輪產品研發熱。該行業大舉引進最新的高效率生產技術，挑起了夯實電子產業發展基礎的重任。 挑戰微細化納米技術 最近發表的ITRS（國際半導體技術藍圖）深入分析了今后15年半導體技術發展方向。 回顧該行業技術發展的軌跡，我們發現，人們除了把目光聚集到High-k門極電介質的前瞻性引入、超越摩爾定律（后摩爾定律技術）上之外，還格外關注存儲器與微機電系統（MEMS）間的對話。2007年11月在夏威夷召開的ITPC（半導體行業國際會議）也把直徑450毫米的晶圓、面向3D功能的45μm薄型化晶圓、挑戰45納米以下微細化作為會議的基本議題。 2008年該行業的課題是，在上述下一代技術的基礎上建立高效率生產線，推出應用產品新方案。 利用芯片薄型化技術挑戰微細化納米技術。在尖端半導體制造領域，從晶圓芯片封裝工序開始需要預先計算封裝形態、生產工序中芯片的受力情況或承載的壓力。隨著晶圓產品向納米級微細化發展，用于排除電路間相互干擾的Low-k層將越來越脆弱。另一方面，各方開始引進集成度更高、耗能更低的薄型化堆棧3D芯片技術。 目前，通過液體滲透技術已經可以實現微細曝光，但是由于掩膜成像時圖形常常走形，需要調整，所以各道工序的工藝設備、材料、膠片、磨具廠家需共享信息，統一步調。 目前，大型代工企業正在整合前道工序至封裝工序的整套設備。 搭載了芯片的印制電路板也有微細化和模塊化發展的需求。要求生產廠商摒棄傳統的單打獨斗的思路，攜起手來，相互協作，在封裝工序與主板工序領域實現融合。 表面拋光工藝不斷發展 下一代45納米微細化節點、下下一代32納米微細化節點技術正在發展。硅晶圓的切割、拋光、光阻涂敷工藝目前還無法克服晶圓表面的極微細異物。在形成電路的時候，為了克服曝光掩膜的日趨復雜和微細化，二次曝光技術被越來越多地采用。為使曝光、顯影更微細、更鮮明，波長選擇方式被越來越多地采用。源于折射原理的聚光“浸滲”技術已經成為研發的主流。 為了消除浸滲給晶圓表面帶來的不良影響，需要在晶圓表面進行編碼和除痕處理。 目前還存在的問題是，芯片上的電路圖形在洗滌時容易被沖掉，層與層之間走線的孔洞形狀大小不一，表面不夠光滑。 用于表面拋光、處理的材料是由數百種材料混合在一起，經過反復試驗才研制出來的最佳材料。 世界半導體制造設備廠商以日、美、歐的研究機構為核心結成了一體，共同開發最佳基礎生產技術。同時還擔負了技術革新、提高生產率、開拓化合物半導體激光光源及超高輝度LED生產等替代傳統光源的革命性半導體產品的使命。2008年該行業將面臨硅循環市場的嚴峻挑戰，同時市場的進一步擴大也是可以預見到的。