在與英特爾爭奪下一代微處理器生產領先權的戰斗中，AMD正越來越倚重IBM，其支付給IBM的錢也是巨大的。 周二，AMD宣布IBM已成功生產出一款使用了EUV技術（下一代遠外線光刻）的工藝試驗性芯片，此前，用EUV技術制造的芯片部件均為“窄場”（Narrow-Field），即只能設計部分芯片區域，而IBM此次將芯片的第一層金屬互聯層都使用了這種技術。 為什么要使用EUV？晶體管與連接它們的金屬層大小直接與硅片（wafer）所使用的光刻技術的波長大小有關。EUV光刻技術使用了13.5納米波長，比現今193納米級別的光刻技術波長短很多，這使得芯片可以繼續朝微型化的功能方向繼續邁進。EUV目前的目標是22納米芯片，預計這一代芯片將在3到5年內出現。幾年前，英特爾曾經希望用EUV制造出45納米芯片，但它放棄了這一計劃。 周二的報告說，IBM和它的合作伙伴們印制了金屬互聯層的第一層（晶體管之間），然后經過其它步驟，EUV設備結構在AMD公司經過了了電子測試，晶體管的測試結果顯示，這種技術制造的晶體管特性與使用更標準技術生產的測試芯片的晶體管特性一致。 過去6年的合作表明，IBM正在提供技術給AMD。兩家公司從2002年開始在芯片制造上合作，那時，AMD在“絕緣層上覆蓋硅”（SOI）上碰到了問題。AMD開始尋求IBM的幫助，從那以后，雙方已經續簽了幾次合同。 第一次在2004年9月，合同內容包括截止到2008年的32納米制造技術開發合作協議，然后是在2005年11月，雙方將合作期限延長到了2011年，涉及項目為22納米工藝技術。在其他領域，AMD目前還與IBM在“高K/金屬門”（high-k/metal gate）晶體管技術上合作，這種技術主要是為了生產32納米芯片，英特爾目前在現有的45納米芯片上也在使用這種技術。 這類專利技術可不便宜。AMD最近的一次續簽將雙方的合同延長到了2011年12月31日，AMD方面稱：“我們預計，按照合同規定，我們將為2008年至2011年間的聯合開發向IBM支付近4億美元費用。” 即使要向IBM支付4億美元，AMD也覺得比自己研發來得劃算，AMD的人說：“終止這種合作將極大增加我們的研發成本，我們可能遭致產品延遲等問題。” AMD的挑戰是，英特爾研發預算讓AMD的相形見絀。英特爾每年研發預算大約是60億美元，AMD只有其1/6。在制造領域，雙方更是無法相比。光以45納米級別芯片為例，英特爾計劃拿出4個工廠來生產45納米處理器，并且現在英特爾已經實現了45納米芯片的商業生產，而AMD甚至還未實現這一代芯片的商業生產，公司還需要IBM這樣的制造大腕來幫助其運轉。 合作的推動力部分是為了節省成本。AMD與合約制造商Chartered半導體公司的合作是節省成本的又一例子。分析師Don Scansen指出，AMD無疑是第一家在研發，制造方面向外部公司求援的公司，不過AMD如果堅持這樣做的話，將繼續受到分析師及股票市場的質疑，他說：“IBM承擔起了大部分的開發工作。” AMD的一位發言人說：“IBM是AMD制造與研發戰略的重要部分。通過分擔半導體工藝技術的研發成本，整個IBM聯盟的成員，包括AMD都將獲得先進的制造技術。” 在其網站上，AMD將晶體管，芯片連接，封裝以及光刻技術都列為了可以向外尋求幫助的領域。大部分協作工作都在“Albany納米科技中心”進行。并不是巧合，Albany也是AMD計劃修建一家芯片工廠的位置。AMD方面最近表示，計劃投資32億美元修建一家芯片工廠，可能會從明年1月開工。 IBM在紐約Fishkill東區擁有先進的制造生產線，距離Albany大約90英里。 IBM與AMD的合作表明，未來的芯片制造障礙將非常大，每家公司均是這種情況。象英特爾，也已經宣布推遲部署一項來自尼康的EUV光刻技術。 從這一點來看，IBM和AMD的EUV進展對AMD來說是一個好消息。Scansen說：“AMD獲得這一技術工具非常有意義。”有人曾經懷疑EUV能否適用于22納米芯片，IBM和AMD的消息表明，這種技術開發工作正在復興。 AMD和IBM周二宣布，下一步是為芯片制造提供各種EUV光刻技術，使其不僅能夠用于金屬連接層，而且也能夠適用于所有的關鍵層。 Scansen說，在32納米及其以下級別的芯片制造上，英特爾有其它的理念，即使用傳統的光刻法以及“更聰明的設計”。英特爾正在積極向32納米芯片邁進。去年12月，英特爾制造與運營部副總裁兼總經理Brian Krzanich發表聲明說：“英特爾將在兩個關鍵的芯片層上使用32納米沉浸光刻（immersion lithography）技術。在其它不太關鍵的芯片層，英特爾將繼續使用傳統的干式光刻（dry lithography）法。”