導語：QA01C在效率高達83%的情況下，具有不對稱+20VDC/+100mA、-4VDC/-100mA輸出，完美滿足SiCMosfet的可靠開啟及關斷要求。低至3.5pF的隔離電容，允許QA01C工作在高頻應用中，不被重復充放電拖慢工作頻率。
SiCMosfet對比SiIGBT主要有以下優勢：
低導通電阻RDS（ON），使SiCMosfet具有優越的正向壓降和導通損耗性能，更適應高溫環境下的工作；
優良的輸入特性，即SiCMosfet擁有低柵極電荷，具備卓越的切換速率；
寬禁帶寬度材料，SiCMosfet具有相當低的漏電流，更適應在高電壓環境中的應用；
日前，MORNSUN與SiCMosfet行業龍頭企業合作，打造了一款SiCMosfet專用的隔離轉換DC-DC模塊電源--QA01C。
QA01C在效率高達83%的情況下，具有不對稱+20VDC/+100mA、-4VDC/-100mA輸出，完美滿足SiCMosfet的可靠開啟及關斷要求。低至3.5pF的隔離電容，允許QA01C工作在高頻應用中，不被重復充放電拖慢工作頻率。3500VAC高隔離耐壓，減少了高壓總線對低壓控制側的干擾。220uF大容性負載使得QA01C具有瞬時驅動大功率特性，更好地應對SiCMosfet對高頻開關的要求。
目前，QA01C系列已經通過了UL/CE/CB60950認證，產品可靠性已經得到了權威機構的認可。
產品特點：
●隔離電容3.5pF
●高隔離電壓3500VAC
●不對稱驅動電壓：輸出電壓+20/-4VDC
●輸出電流+100/-100mA
●大容性負載220uF
●效率高達83%
●工作溫度范圍:-40℃~+105℃
●可持續短路保護
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