文章簡要介紹了我國電力電子技術發展五十余年，硅整流器，硅晶閘管及其派生器件裝備了我國工業；5英寸、6英寸硅晶閘管達到國際先進水平，成功裝備了我國直流輸電；硅基IGBT已有封裝產線、從芯片到封裝8寸線，代工生產模式，并逐步替代進口，開始打破國外IGBT的一統天下。

1│序言
    我國半導體研究始于1956年，當時我國提出“向科學進軍”，國家制定了發展各門尖端科學的“十二年科學技術發展遠景規劃”，把半導體技術列為國家四大緊急措施之一，中國科學院應用物理研究所舉辦半導體器件短期培訓，請回國的半導體專家黃昆、吳錫九、黃敞、林蘭英、王守武、成眾志等講授半導體理論、晶體管制造技術和半導體線路。國家決定由北京大學、復旦大學、吉林大學、廈門大學、南開大學五所大學開設半導體物理專業，由著名教授黃昆（北京大學）、謝希德（復旦大學）、高鼎三（吉林大學）授課。1957年有第一批畢業生，其中有現成為科學院院士的王陽元（北京大學）、工程院院士的許居衍（華晶集團公司）、電子部總工程師俞忠鈺等人。

    中國的頻率器件首先從鍺（Ge）開始，1957年北京電子管廠拉制出鍺單晶，先后研制出二極管和三極管，如π401。1959年，天津拉制出硅單晶，從此硅器件逐步開發出來。

    我國硅基電力電子器件隨著頻率器件而發展，歸屬一機部北京電器科學院第六研究室（后內遷西安整流器研究所）當屬最早的研制硅電力電子器件群體，當時有硅整流器、硅晶閘管，快速硅晶閘管，逆導硅晶閘管，可關斷硅晶閘管、雙向硅晶閘管等課題。許多設計上的成果，許多工藝上的突破，許多老一代科技工作者的貢獻……俱往矣。現在看到了一個全國電力電子行業，我跟隨了這個行業50年（1964年分配到北京電器院六室），看到了行業的發展過程。

    為接近準確描繪我國現在硅基器件的發展狀況，起草本文前，曾電話請教黃躍先（北京椿樹）、趙善麒（江蘇宏微）、吳煜東（南車）、沈華（嘉興斯達）林信南（北京大學深圳研究生院）、吳濟鈞（西安電力電子所）、王正鳴（西安電力電子所）、周敏川（中科君芯）、乜連波（威海新佳）、潘福泉（沈陽工大）、顏家圣（臺基）等專家，并同日本東芝馬東宏先生、富士劉展前先生，羅姆公司水原德健先生，電裝程偉濤先生交流過。于近期到嘉興斯達半導體、南車8英寸線，中科君芯、華潤上華8英寸線等參觀學習，他們都給了許多指導與幫助。

2│硅整流器、硅晶閘管完全滿足裝備我國工業的能力
    在硅基電力電子器件以前，曾有過一個短暫的水銀整流器的過程，如蘇聯援建的156項工程中的西安電力整流器廠就有一段時間生產水銀整流器。由于缺點多而被硅器件取代，按著世界硅器件發展年譜，硅器件的發展如表1：

表1世界硅器件發展幾個階段的代表器件

    硅基電力電子器件研制中，曾經的努力，成功與挫折，奠定了中國電力電子行業的基礎。從六十年代起，開始不斷地裝備我國工業，如發電、機械、冶金、礦山、石油、石化、紡織、印染、造紙、印刷、醫藥、食品、農機、激光、汽車、軌道交通、艦船、航空航天等領域，硅基電力電子器件的品種型號不斷擴大，阻斷特性不斷提高。

    如結溫已提高到125℃、150℃、175℃，甚至一些低壓雪崩器件，結溫標準已達215℃。

    原來五大整流器廠有了新的組合，如原北京整流器廠同ABB合資生產變頻器，年銷售額已超過50億元。改革開放以后，在市場經濟的大潮中，涌現出不少高素質的電力電子企業，有的上市（南車、臺基、楊杰、九洲、合康、匯川、英威騰）；有的發展很快（斯達、宏微、藍海華騰）。產品向模塊化、智能化發展，外商已經采購中國的元器件和裝置。

3│5英寸、6英寸硅晶閘管已達到國際先進水平
    值得高興的是，5英寸、6英寸硅晶閘管已達到國際先進水平。5英寸、6英寸硅晶閘管是硅晶閘管的王冠，代表了企業實力、國家水平。西安電力電子技術研究所和南車時代先后量產5英寸、6英寸硅晶閘管、裝備了我國直流輸電工程，是世界壯舉。除為我國節省大量外匯外，也提高了我國硅基電力電子器件的話語權。征得西安電力電子技術研究所的同意，將該所5英寸、6英寸鑒定成果和直流輸電工程業績納入表2、表3。

    南車時代電力電子事業部生產的5英寸、6英寸硅晶閘管也在10多條直流輸電工程上使用。