在高性能的應用，比如智能汽車、小型的醫療設備這個領域，它屬于需要高性能、高耐久性的電子系統，它的存儲技術未來會是什么樣的選擇方向和創新的趨勢呢？

在第七屆EEVIA年度中國ICT媒體論壇暨2018產業和技術展望研討會上，富士通電子元器件產品管理部總監馮逸新分享了公司的策略，以下是他的演講整理。

先分享下各種存儲器的特點：

富士通主要提供FRAM、FRAM、ReRAM三種。

FRAM有三大優勢：

一是高讀寫入耐久性，寫的次數比較多。

二是高速寫入，因為寫入可以跟納米秒的速度相比。

三是低功耗。其實一般在NORFlash寫和擦的時候需要一個升降電路，那么FRAM不需要，所以是低功耗。

所謂的耐久性是什么樣的概念呢？

假設條件寫入頻率是1秒/次，其實在FRAM最多用的是三項電表，國家規定是一秒寫一次重要數據，一秒寫一次，一般產品的壽命是十年的話，在十年當中寫入耐久性大概需要3.2億次！我們做比較，EEPROM滿足不了，flash滿足不了，但是EEPROM和flash還在被用，因為這需要用EEPROMFlash系統的話需要軟件工程師下一些工夫。比如做損耗品種技術，也可以做，但是從整體上，成本會增加，總體來講并不見得是可取之處。

高速寫入，FRAM寫入一個數據的時間僅僅是EEPROM的1/3000，如果一個系統用一個主控加一個硬memory的話，發生掉電的時候，肯定FRAM是沒有問題的，因為它的速度很快，EEPROM肯定要數據丟失。

那為什么EEPROM還在用呢？主要是加了大電容，或者是加了電池，因為下電的時候，寫入數據需要時間，需要維持電壓，加一個大電容等于電池，這樣不但增加了設計線路板的面積，也有成本的增加，沒有FRAM那么簡單。

功耗的問題，同樣寫入64byte的數據，FRAM的功耗僅僅是EEPROM的1/100，這樣功耗越低，電池的使用壽命就越長，在汽車的胎壓檢測里面一般用電池，電池更換方便，需要電池壽命更長，用FRAM可能是比較理想的的了。

先總結一下就是，無論是讀寫耐久性也好、寫的速度、寫得速度和功耗來講，FRAM比傳統的MRAM、EEPROM有很多優勢——但是，FRAM很貴！

補充一張富士通FRAM產品線的說明圖。工程師一眼就看懂，就不再贅述。

富士通的ReRAM

ReRAM是富士通和松下合作的產品。松下負責制造，一部分REROM松下做，FRAM富士通做，它是通過一些化學氧化反應，使里邊電阻最高、最低值兩個來定點計數據。

第一代產品已經出來了，主要用在助聽器，歐洲很多大公司助聽器放在耳朵里面。

ReRAM的主要特點是阻變式的，FRAM不一樣，規格類似于EEPROM，內存容量比較大一些，核心尺寸比EEPROM小一點。應用優勢最大一點是低功耗易于寫入操作，歐洲的一些大的助聽器對這塊要求比較多一些。

ReRAM的產品路線圖。

上圖是ReRAM的產品特點總結。

目前4Mbit的中密度產品線已經量產，更高的密度還要晚一兩年。馮逸新表示，未來富士通要把它做的更小，小到現在的1/4。目標應用是可穿戴設備，例如助聽器做。

富士通的NRAM

NRAM是一個新的東西，這是馮逸新第一次跟媒體談到這個產品。N是納米管的一個東西，發明這個技術的是美國的叫Nantero，公司在波士頓，在加利福尼亞有一個研發中心。富士通把IP買過來之后開發新的產品，它也是通過納米管范德華力接觸，接觸之后電流凝固這個時候電阻是最低的，反作用力讓它分開，電阻是最大的這么一個東西，就這么一個工作原理。

NRAM有什么技術特點呢？

一是讀寫的速度比較快，讀寫耐久性比NORFlash高于1000倍。

其次是高可靠性，一般80度可以存儲數據達到1000年，一般300度時可達10年。存儲溫度比較高。

第三是低功耗，待機模式的功耗接近于零。

還有無限的擴張性，因為這個可以做的更小，FRAM突破不了100個納米，一般NORFlash做到十幾個納米，EEPROM做到60多個納米，NRAM做的更小一些，未來的擴展空間比較大。

簡單做一個總結。總體來說，MRAM在高溫操作、數據保持、高速書寫上面比傳統的memory更好一些。它的寫入次數比NORFlash更好一些。可以進入NORFlash未來。談到NRAM的產品路線圖，這是一款未來的產品。預計在2020年富士通可以做出來，因為現在很多客戶看到這樣非常感興趣。他解釋說，NRAM帶來什么樣的價值？它可以應用在任何系統，不但可以做數據存儲，也可以做程序存儲。這個是很方便。可以實現即開即用。比如不關電腦，用的時候打開。還有高溫環境，FRAM做到120多度，未來NRAM它可以做到150多度。這樣可以應用在發動機周邊的電子產品上。