

Vishay發布新款高精度薄膜SMD環繞片式電阻陣列
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器件具有+215℃工作溫度、負載壽命穩定性-0.7%漂移和10ppm/℃嚴格TCR
賓夕法尼亞、MALVERN—2012年8月30日—日前,VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代號:VSH)宣布,發布新系列適用于高溫鉆井和航空應用的高精度薄膜SMD環繞片式電阻陣列---PRAHT。新的PRAHT四電阻網絡的工作溫度為-55℃~+215℃,最高存儲溫度為+230℃,是業內首個采用薄膜技術制造的電阻陣列。
今天發布的VishaySfernice器件是油位和壓力傳感器、鉆井勘探工具和航空發動機,以及剎車系統的絕佳選擇。除高溫性能外,電阻網絡在額定功率、+215℃條件下工作2000小時后的負載壽命穩定率,僅有0.7%阻值漂移,具有10ppm/℃的嚴格TCR和2ppm/℃的TCR跟蹤,電阻比的容差低至0.05%。
PRAHT系列的節距為1mm、1.35mm或1.82mm,阻值為10?~2M?,每個電阻的功率等級為10mW~20mW。器件具有小于-35dB的低噪聲,電壓系數小于0.01ppm/V。符合RoHS的電阻網絡提供工作溫度可達+230℃的金端接,或溫度為+200℃的SnAg端接。
器件規格表:
型號 |
節距 |
阻值范圍 |
功率等級 (每個電阻) |
PRAHT 100 |
1 mm |
10 ? ~ 250 k? |
10 mW |
PRAHT 135 |
1.35 mm |
10 ? ~ 500 k? |
12.5 mW |
PRAHT 182 |
1.82 mm |
10 ? ~ 2 M? |
20 mW |
Vishay的新款PRAHT電阻網絡現可提供樣品,并已實現量產,大宗訂貨的供貨周期為十周。

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