賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 10 月 18 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出4款新型500V、16A的N溝道功率MOSFET --- SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C。新MOSFET在10V柵極驅動下具有0.38Ω的超低最大導通電阻，柵極電荷降至68nC，采用TO-220AB、TO-220 FULLPAK、D2PAK和TO-247AC封裝。

      SiHP16N50C (TO-220AB)、SiHF16N50C (TO-220 FULLPAK)、SiHB16N50C (D2PAK)和SiHG16N50C (TO-247AC)的低導通電阻意味著更低的傳導損耗，從而在功率因數校正(PFC)升壓電路、脈寬調制(PWM)半橋和各種應用的LLC拓撲中節約能源，這些應用包括筆記本電腦的交流適配器、PC機電源、LCD TV和開放式電源。

      除了低導通電阻，這些器件的柵極電荷為68nC。柵極電荷與導通電阻的乘積是功率轉換應用中MOSFET的優值系數(FOM)，這些MOSFET的FOM只有25.84 Ω-nC。

      新款N溝道MOSFET使用Vishay Planar Cell技術進行生產，該技術為減小通態電阻進行了定制處理，可以在雪崩和通訊模式下承受高能脈沖。與前一代MOSFET相比，SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C還具有更快的開關速度，并減小了開關損耗。

      這些器件符合RoHS指令2002/95/EC，并且經過了完備的雪崩測試，以實現可靠工作。

      新款功率MOSFET現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為八周到十周。