三菱電機將攜同最新推出的四個工業用功率模塊系列產品，包括適合可再生能源設備使用的新型PV-IPM和新型MPD系列；其他工業使用的V1系列 IPM和第6代NX 系列IGBT模塊，在6月1日至3日于上海光大會展中心舉行的PCIM 2010中國展（展位號A13-A14）中亮相，向參觀者介紹面積更小、損耗更低、和容量更大的變頻工業技術。

      三菱電機推出的新封裝型PV-IPM產品的面積比以前的產品減小了約30％，為功率變換器的小型化做出貢獻。由于它的面積小，特別適合裝在室內的家用太陽能發電系統的功率變換器使用，將太陽能電池板的直流電轉換成交流電。這款模塊也可應用在燃料電池系統的功率變換器，進一步推動再生能源的使用。

      根據內置功率硅片的數量，可以將該系列產品分為4單元、5單元和6單元共3種，其對應的電路拓撲結構分別為單相逆變電路、單相逆變加1個升壓電路、單相逆變加2個升壓電路。額定電流包括50A和75A兩個電流等級。

新型PV-IPM照片

      三菱電機的新型MPD系列產品是另一款適合容量大的再生能源設備使用的功率模塊。新型MPD系列IGBT模塊針對大電流專用的內部結構采用專門的封裝，并采用低損耗的第6代IGBT硅片，使得額定電流提升到原MPD系列的1.5倍以上。原MPD系列早在2002年推出，額定電壓為1200V，額定電流為1400A的2單元MPD系列IGBT模塊。

      新型MPD系列CM2500DY-24S的額定電流為2500A，是目前工業用2單元IGBT模塊中電流最大的，從而使得利用再生能源發電的系統可以做到更大的容量。同時，為了提高水冷的冷卻效率，模塊內部的硅片布局空間保持較大余量。這種新品還適用于工業用大容量變頻器、不間斷電源（UPS）等裝置。

      這個新型MPD系列產品更能滿足發電系統大容量化的需求，切合現時各國政府極力推進風力發電、太陽能發電等利用可再生能源的發電政策。在政府的大力推動下，新能源發電系統已經達到兆瓦級的大規模，對應用于這些發電系統的功率變換裝置的容量也比以前大幅提高。

新型MPD 照片

      三菱電機現在推出的小型V1系列IPM，則可應用在大功率電機上。它的特性是低損耗，可用于37kw以上的變頻器和15kw以上的伺服驅動器等。

      新設計的VI系列IPM，功率大且尺寸小，更有效地利用能源。這款頻率可調的變頻器可廣泛使用于工業電機的驅動控制系統。變頻器的輸出部分普遍采用內置驅動電路、保護電路的功率半導體模塊IPM來高速開關電流。

      新的V1系列IPM把三菱電機早期的2單元S系列和V系列IPM統一成兩種封裝，采用CSTBT^TM硅片具有低損耗的優點，最優化的集成在硅片上的溫度傳感器，功率循環能力較以前的產品相比得到顯著提高。

      電壓分別有600V和1200V兩個等級，電流從200A/1200V到900A/600V，產品豐富。V1系列IPM使得變頻器的功率損耗與傳統產品相比降低約20%（PM300DV1A120與PM300DVA120相比較）。另外，V1系列IPM在每一個硅片上都有溫度傳感器用于檢測溫度，與傳統產品V系列IPM相比，新的V1系列IPM的溫度保護功能得到增強。

V1系列IPM模塊照片

      三菱電機最新開發的第6代IGBT模塊，采用優化載流子存儲層的摻雜分布和精細圖形工藝的溝槽型IGBT硅片，進一步降低模塊的開關和通態損耗。第6代IGBT模塊內的續流二極管硅片，由于采用薄膜晶片工藝和擴散技術，這種硅片優化了緩沖層雜質分布和本征層、緩沖層厚度，減小了反向恢復的拖尾電流，并且獲得更好的V_F和Q_rr的折衷關系。

      實驗表明新型硅片具有足夠寬SCSOA和最少10μs的短路承受時間。第6代IGBT模塊的NX系列模塊采用第6代硅片，最大允許結溫可高達175°C。 采用第6代NX系列IGBT模塊的變頻器功率損耗比傳統產品的降低約20%。例如：1200V/150A IGBT模塊應用于30kW的變頻器，功耗可從200W減少到160W（CM150TX-24S與CM150DX-24A對比）。

      第6代NX系列IGBT模塊產品豐富，包括1200V和1700V兩個電壓等級，額定電流從35A到1000A，分別有CIB (Converter Inverter Brake)、七單元、六單元、二單元和一單元模塊，共5種電路拓撲。全系列產品采用同一封裝平臺從而降低了模塊的制造成本，使得NX系列IGBT模塊的性價比具有不同尋常的競爭力。

第6代NX系列IGBT模塊的照片

三菱電機機電（上海）有限公司簡介

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