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三菱 NF系列IGBT模塊
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產品特性：
采用最新的CSTBT硅片技術
＊ 低飽和壓降Vce（sat）；低開通損耗Eon；低關斷損耗Eoff
＊ 高短路承受力（不需要RTC）
＊ 降低柵極電容，柵極驅動功率接近平板型IGBT
最好的熱阻性能， T（j-f）比競爭對手好一個等級
采用傳統的與H系列兼容的 Rth（j-c） 和Rth（c-f）定義
封裝全系列與H系列產品兼容
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