編者按：Vishay的新型 Siliconix 25V TrenchFET® Gen III 功率 MOSFET 刷新了業界最佳導通電阻記錄該器件提供了 89.25nC 的業界最佳導通電阻與柵極電荷乘積 FOM。 賓夕法尼亞、MALVERN — 2008 年10月29日— 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出一款新型 25V n 通道器件 ——- SiR476DP，從而擴展了其 Gen III TrenchFET® 功率 MOSFET 系列，對于采用 PowerPAK® SO-8 封裝類型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業界最低的導通電阻以及導通電阻與柵極電荷之乘積。 SiR476DP 在 4.5V 柵極驅動時最大導通電阻為 2.1mΩ，在 10V 柵極驅動時最大導通電阻為 1.7mΩ。導通電阻與柵極電荷乘積是直流到直流轉換器應用中針對 MOSFET 的關鍵優值 （FOM），在 4.5V 時為 89.25nC。 與為實現低導通損失及低開關損失而優化的最接近的同類競爭器件相比，這些規格意味著在 4.5V 及 10V 時導通電阻分別低 32% 與 15%，FOM 低 42%。更低的導通電阻及柵極電荷可轉變成更低的傳導損失及開關損失。 Siliconix SiR476DP 將在同步降壓轉換器以及二級同步整流及 OR-ing 應用中作為低端 MOSFET。其低導通及低開關損失將使穩壓器模塊 （VRM）、服務器及使用負載點 （POL） 功率轉換的眾多系統實現功效更高且更節省空間的設計。 Vishay 還推出了新型 25V SiR892DP 及 SiR850DP n 通道 MOSFET。這些器件在 4.5V 時提供了 4.2mΩ 與 9mΩ 的導通電阻，在 10V 時為 3.2mΩ 及 7mΩ，典型柵極電荷為 20nC 及 8.4nC。所有這三款新型功率 MOSFET 均采用 PowerPAK SO-8 封裝類型。這些器件無鉛 （Pb），無鹵素，并且符合 RoHS，因此符合有關消除有害物質的國際法規要求。 目前，SiR476DP、SiR892DP 及 SiR850DP 的樣品及量產批量已可提供，大宗訂單的供貨周期為 10～12 周。 VISHAY SILICONIX簡介 Vishay Siliconix 是現今世界上排名第一的低壓功率MOSFET和用于在計算機、蜂窩電話和通信基礎設備的管理和功率轉換以及控制計算機磁盤驅動和汽車系統的固態開關的供應商。Vishay Siliconix的硅技術和封裝產品的里程碑，包括在業內建成第一個基于槽硅工藝（TrenchFET®）的功率型MOSFET和業內第一個小型的表面貼裝的功率型MOSFET（LITTLE FOOT®）。 創新的傳統不斷的衍生出新的硅技術，例如被設計用來在直流電到直流電的轉換和負荷切換的應用中最佳化功率MOSFET的性能的硅技術，以及可以滿足客戶需求的更佳熱性能（PowerPAK®） 和更小空間（ChipFET®，MICRO FOOT®）新的封裝選擇。 除了功率MOSFET外，Vishay Siliconix的產品還包括功率集成電路和業界最杰出的模擬交換和多路復用器的線路。Vishay Siliconix功率集成電路的發展不僅專注于應用在蜂窩電話、筆記本計算機、和固定電信基礎設備的功率轉換元件，而且也同樣關注低電壓、約束空間的新型模擬開關集成電路。 Siliconix創建于1962年，在1996年Vishay購買了其80.4%的股份使其成為Vishay子公司。 VISHAY簡介 Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富 1,000 強企業”，是全球分立半導體（二極管、整流器、晶體管、光電器件及某些精選 IC）和無源電子元件（電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉換器）的最大制造商之一，這些元件可用于工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天及醫療市場的各種類型的電子設備。憑借產品創新、成功的收購戰略，以及提供“一站式”服務的能力使 Vishay 成為了全球業界領先者。 有關 Vishay 的詳細信息，可以訪問 Internet 網站http://www.vishay.com。