編者按：意法半導體（ST）推出250A功率MOSFET，封裝和制程同步升級，提高電機驅動能效。 中國，2008年7月16日 —— 以降低電動汽車等電動設備的運營成本和環境影響為目標，電源管理應用的領先廠商意法半導體（紐約證券交易所代碼：STM）推出一款250A表面貼裝的功率MOSFET晶體管，新產品擁有市場上最低的導通電阻，可以把功率轉換損耗降至最低，并提高系統性能。 新產品STV250N55F3是市場上首款整合ST PowerSO-10? 封裝和引線帶楔焊鍵合技術的功率MOSFET，無裸晶片封裝的電阻率極低。新產品采用ST的高密度STripFET III? 制程，典型導通電阻僅為1.5毫歐。STripFET III更多優點包括：開關損耗低，抗雪崩性能強。除提高散熱效率外，九線源極連接配置還有助于降低電阻。在25℃時，封裝的額定功率為300W。 新產品的高額定電流讓工程師可以設計多個并聯的MOSFET，達到節省電路板空間和材料成本的目的。標準驅動閾壓還有助于簡化驅動電路的設計。STV250N55F3適用于高達55V的電力設備。 高達175℃的工作溫度使STV250N55F3適用于強電流電力牽引設備，如叉車、高爾夫球用車和電動托盤裝卸車以及割草機、電動輪椅和電動自行車。新產品在晶圓和成品階段都經過100%的雪崩測試，為可靠性和抗擊穿性提供了有力的保障。新產品將很快達到汽車級產品質量標準。 在同一個產品系列，ST還有一款型號為55V STV200N55F3的產品，該產品的額定漏極連續電流為200A，源極連線配置為4線。 STV250N55F3樣片即刻上市銷售，預計2008年第三季度開始量產。 關于意法半導體（ST） 意法半導體，是微電子應用領域中開發供應半導體解決方案的世界級主導廠商。硅片與系統技術的完美結合，雄厚的制造實力，廣泛的知識產權組合（IP），以及強大的戰略合作伙伴關系，使意法半導體在系統級芯片（SoC）技術方面居最前沿地位。在今天實現技術一體化的發展趨勢中，ST的產品扮演了一個重要的角色。公司股票分別在紐約股票交易所、巴黎Euronext股票交易所和米蘭股票交易所上市。2007年，公司凈收入100億美元，詳情請訪問ST網站 www.st.com 或 ST中文網站 www.stmicroelectronics.com.cn