編者按：意法半導體（ST）的IGBT新品大幅提升開關性能，為節能燈鎮流器和轉換器改進能效，降低尺寸 中國，2008年5月13日 — 功率半導體業的世界領先企業意法半導體（紐約證券交易所代碼：STM）推出一系列創新的絕緣柵雙極晶體管（IGBT），新系列產品采用高效的壽命控制工藝，有效降低關斷期間的能耗。如果設計工程師采用ST的全新IGBT（包括STGxL6NC60D 600V PowerMESH™），用于工作頻率超過20kHz的照明鎮流器等節能型電路內，應用的整體功率可望提高到一個新的水平，遠勝標準技術的MOSFET。 開關性能的改進容許設計工程師把IGBT用于以硬開關拓撲和諧振電路為特點的高度競爭力產品。新產品關斷能耗降低，使用很小的緩沖電容器即可在低結溫下工作，帶來降低功耗、提高可靠性、縮小電路板空間等優點。 在芯片的單位面積性能方面，ST的新IGBT技術遠遠勝于傳統的MOSFET晶體管，有助于實現成本更加低廉的解決方案。新產品還有一個優點：封裝內含有一個超快速軟恢復二極管，保證新產品具有其它功率器件無法實現的高dV/dt抗擾性。新系列超高速IGBT的目標應用包括70W-150W高頻鎮流器以及開關電源、功率因數控制器和其它的高頻功率開關設備。 STGxL6NC60D系列產品共有四款產品，提供豐富的功率封裝選擇：TO-220、TO-220FP、DPAK和 D2PAK。 詳情請訪問：http://www.stmicroelectronics.com.cn/igbt 關于意法半導體（ST）公司 意法半導體，是微電子應用領域中開發供應半導體解決方案的世界級主導廠商。硅片與系統技術的完美結合，雄厚的制造實力，廣泛的知識產權組合（IP），以及強大的戰略合作伙伴關系，使意法半導體在系統級芯片（SoC）技術方面居最前沿地位。在今天實現技術一體化的發展趨勢中，ST的產品扮演了一個重要的角色。公司股票分別在紐約股票交易所、巴黎Euronext股票交易所和米蘭股票交易所上市。2007年，公司凈收入100億美元，詳情請訪問ST網站：www.st.com 或ST中文網站www.stmicroelectronics.com.cn。