靜態隨機存取存儲器（SRAM）市場領導者賽普拉斯半導體公司日前宣布，其具有錯誤校正代碼（ECC）的16Mb低功耗異步SRAM 已開始出樣。全新MoBL® （More Battery Life™，更久電池續航） SRAM的片上ECC功能可使之具有最高水準的數據可靠性，而無需另外的錯誤校正芯片，從而簡化設計并節省電路板空間。該MoBL器件可延長工業、軍事、通訊、數據處理、醫療和消費電子等應用領域里手持設備的電池續航時間。

背景輻射造成的軟錯誤可損壞存儲內容，丟失重要數據。賽普拉斯新型異步SRAM中的硬件ECC模塊可在線執行所有錯誤校正動作，無需用戶干預，因而具有業界最佳的軟錯誤率（SER）性能，錯誤率僅有0.1 FIT/Mb（1個FIT相當于器件每工作十億小時發生一個錯誤）。這些新器件與現有的異步低功耗SRAM管腳兼容，客戶不必更改電路板設計即可提高系統可靠性。16Mb MoBL 異步SRAM還具有可選的錯誤指示信號，可指示單位（Single-Bit）錯誤的發生和校正。

賽普拉斯異步SRAM事業部高級總監SunilThamaran說：“自從我們去年推出帶ECC的快速SRAM以來，客戶反響非常強烈。在這一系列中增加MoBL器件，可使更多的應用受益于我們的片上ECC技術。賽普拉斯致力于不斷開發SRAM新技術，更好地為客戶服務，鞏固我們毫無爭議的市場領導地位。”

賽普拉斯的16MbMoBL異步SRAM具有業界標準的x8， x16 和 x32配置。器件具有多種工作電壓（1.8V， 3V和5V），工作溫度范圍為-40℃至 +85℃（工業級）和-40℃至 +125℃（汽車級）。