簡介：采用螺旋狀的高壓電瓷為骨架，具有良好的散熱功效，外型美觀，安裝方便。本產品設備放電、模擬負荷實驗等。

簡介：NCL30000采用緊湊型的8引腳表面貼裝封裝，使用臨界導電模式（CrM）反激架構，以單段式拓撲結構提供大于0.95的高功率因數

簡介：安森美半導體 100 V功率MOSFET器件的典型應用包括工業電機控制、電源、不間斷電源（UPS）中的電源逆變器，以及汽車中的直接燃氣噴射

簡介：Vishay功率MOSFET采用TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝，導通電阻僅有0.190Ω

簡介：英飛凌全新200V和250V器件適用于48V系統、DC/DC變換器、不間斷電源（UPS）和直流電機驅動

簡介：瑞薩科技CRD5CM反向導通晶閘管在單個封裝內整合了2個元件，實現了更小、成本更低的穩壓器

簡介：該器件通過AEC-Q200認證、具有2kV的ESD等級、低至±25ppm/℃的TCR和±0.1%的容差

簡介：新款Vishay Siliconix的60V SiM400采用1mm x 0.6mm的SOT-923封裝，為小信號應用提供了節省空間的解決方案

簡介：PSC電感器是針對需要線焊器件的RF電路而設計的，包括在通信系統及測試測量儀器中的阻抗調諧電路、集總元件濾波器和混合RF集成電路。

簡介：安森美NCV840x系列器件采用 SOT-223、DPAK及SOIC8封裝，在嚴格的汽車及工業應用環境中提供強固及可靠的驅動功能

簡介：隨著計算機技術、通信技術和控制技術的不斷發展，智能建筑不斷地日新月異，同時智能建筑中使用了大量的現代化用電設備和裝置

簡介：可定制電路于5mm x 5mm方形扁平無引腳封裝，其端子間距為0.65mm，厚度為1mm，可節約30%～60%的印制電路板空間。

簡介：該器件采用Glass-to-Tantalum密封，可在+200℃的高溫下工作，ESR低至0.44Ω

簡介：新系列的MOSFET 利用安森美半導體獲市場驗證的溝槽技術，提供優異的導通阻抗[RDS（on）]及更高的開關性能

簡介：光電探測器的厚度僅為0.85mm、占位面積僅為1.25mm x 2.0mm，可檢測紫外光、可見光和紅外光，光譜帶寬為350nm～1120nm或750nm～1050nm、

簡介：東芝電流晶體管減少了系統的尺寸，具有較廣泛的應用，范圍從便攜式到工業系統。

簡介：器件的溫度系數低至±150ppm/℃，采用緊湊的全密封IP67封裝，功率等級高達3W

簡介：Vishay推出業界最薄的表面貼裝車用TVS，厚度僅為1.1mm ，高功率器件采用TO-277A封裝，具有6.8V～43V的擊穿電壓和10.5V～61.9V的鉗位能力。

簡介：器件采用薄膜技術，具有低至±0.05％的容限，TCR低至±5ppm/K，外殼尺寸分別為0603、0805和1206

簡介：器件具有0.3ppm/℃的最大TCR、±0.005%（50ppm）的嚴格容差，在至少6年內貨架壽命穩定率為2ppm、注油器件的獨特結構將應力因素和潮濕的影響降至最小