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新明和工業開發出半導體基板高覆蓋率成膜技術

時間：2007-12-12

來源：中國傳動網

導語：新明和工業開發出了利用“片等離子（Sheet Plasma）”技術，在布線深寬比較高的半導體基板上進行高覆蓋率成膜的“濺射離子鍍工藝

新明和工業開發出了利用“片等離子（Sheet Plasma）”技術，在布線深寬比較高的半導體基板上進行高覆蓋率成膜的“濺射離子鍍工藝（Sputter Ionplating Process）”。片等離子技術是該公司06年開發、利用磁場將呈圓柱狀分布的等離子改變成片狀分布的技術。 此次開發的工藝的最大的特點是：能夠單獨控制等離子槍的放電電流和濺射靶材的偏置電壓。在以CPU為代表的半導體元器件領域，隨著高功能及高速化的發展，銅布線越來越微細化，為適應這一趨勢而進行的開發十分活躍，該公司著眼于其中的銅布線工序，通過片等離子技術在電子底板材料的薄膜表面形成銅或硅膜，開發出了兼顧性能和價格的新工藝。 該工藝的成膜方法為首先利用磁場將等離子槍產生的圓柱狀氬等離子形成片狀。然后利用由此生產的高等離子密度的片等離子體，均勻地消耗靶材（形成薄膜的材料），同時進行銅濺鍍和離子化。這樣便可實現高密著且大面積的均勻成膜。利用該技術可消除局部磁通密度差等質量問題的出現。而且還解決了材料費及功耗方面存在的問題。靶材使用效率提高到了為原來約2倍的近100％，靶材使用效率低的問題得到解決，靶材成本降低了約50％，功耗也減少了約40％。
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