富士電機株式會社（東京都品川區、代表取締役社長：北澤通宏）推出業內最高水平的低損耗MOSFET“SuperJ-MOS系列”產品。

　　1．上市目的

　　如今，人們對地球環境越來越關心，在不斷清潔化的IT領域及新能源等領域中，可實現高效電力變換的功率半導體受到廣泛矚目。

　　其中，MOSFET注1作為電力轉換過程所使用的主要裝置，對其降低損耗的要求越來越高。

　　此次，富士電機推出的SuperJ-MOS系列產品，采用具有新開發的低通態電阻特性的SJ結構注2，可大幅度地降低損耗。

　　據此，可通過提高設備的電力變換效率減少耗電，為實現低碳社會作貢獻。

　　2．產品特點

　　・降低通態電阻70％注3，達到業內最高水平的低損耗。

　　・結合最新降低開關損耗的技術，使元器件總損耗降低14％注4。

　　3．主要規格（代表機型）

　　4．主要用途

　　・服務器、不間斷電源、播放設備等信息通信設備；

　　・面向太陽能電力調節器等新能源領域的電力變換裝置等。

　　5．詢問處

　　富士電機株式會社營業本部電力電子設備統括本部第3統括部營業第1部

　　☎03-5435-7256

　　注1MOSFET：Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，金屬氧化物半導體場效應管。

　　注2SJ結構：電荷非平衡Superjunction結構

　　其特點是，由于是使MOSFET的耐壓層的p區和n區交互存在的結構，可使n區的雜質濃度提高，所以可大幅度降低阻值。

　　以往面狀結構的MOSFET，由于是通過向高阻抗的n層延展電絕緣區（過流層）來確保耐壓水平的，因此通態電阻無法降至一定值以下。

　　而SJ結構，是通過在n區形成p區，這既可以在縱向又可在橫向延展過流層，因此，即使n層阻抗下降，依然可以確保耐壓水平。據此，可實現超過以往面狀結構理論極限的低通態電阻。

　　注3、4與本公司以往產品相比

　　ＳuperＪ-MOS產品照片