意法半導體（STMicroelectronics）推出超結型MDmeshV系列--STW88N65M，新產品的導通電組（On-ResistancePerArea）僅為0.029歐姆，是標準TO-247封裝650伏特市場上導通電組最低的產品，打破同是MDmeshV之0.038歐姆的原產業指標。
其實，MDmeshV系列的金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）之高壓功率已打破世界記錄，其擁有每單位面積最低的導通電組，使能在650伏特額定電壓應用中實現最高的能效和功率密度。
然而，新產品有過之無不及地提高能效指標至23%以上，對以熱量形式損耗電能的系統功率轉換電路，如電子照明控制器、消費性電子電源和太陽能電力轉換器，能為其在節能技術領域跨大步。設計工程人員可將新產品替代導通電組較高的MOSFET，以提高終端應用的能效，或置入更少的MOSFET電晶體，從而減少封裝尺寸并降低材料（BOM）成本。
功率電晶體市場總監MaurizioGiudice表示，新記錄鞏固意法半導體在超接面（Super-Junction）MOSFET市場的地位，MDmeshV展現意法半導體最新經市場驗證的多重漏極網格（Multi-DrainMesh）技術，新產品的更高性能降低應用設計能耗。
值得注意的是，該公司MDmeshV系列產品擁有高安全范圍，能提高MOSFET對交流（AC）電力線上一般一邊突波電壓的承受能力。已上市的新產品，采用多種類型的封裝，包括Max247、TO-247、D2PAK、TO-220/扁平封裝（FlatPackage，FP）、PowerFLAT8×8HV以及I2PAK。
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