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瑞薩發布首款嵌入式閃存技術

時間：2012-01-06

來源：網絡轉載

導語：全球領先的高級半導體和解決方案的供應商瑞薩電子株式會社宣布開發出業界首款適用于汽車實時應用領域的40nm工藝嵌入式閃存技術。

　　全球領先的高級半導體和解決方案的供應商瑞薩電子株式會社(TSE：6723，以下簡稱“瑞薩電子”)宣布開發出業界首款適用于汽車實時應用領域的40nm工藝嵌入式閃存技術。瑞薩電子也將是首先使用上述40nm工藝閃存技術，針對汽車應用領域推出40nm嵌入式閃存微控制器(MCU)的廠商，采用該技術的首款產品預計將于2012年秋季開始供應。

　　瑞薩電子在開發具有高質量及高可靠性的閃存MONOS(金屬氮氧硅)技術方面，擁有豐富的經驗且廣受好評。在2007年，瑞薩電子便成為第一家推出90nm汽車用閃存MCU產品的廠商。

　　瑞薩電子閃存MONOS技術為可擴充的技術，不僅可靠性高且具備高效能。40nm閃存測試組件的評估結果，已證明其在三個重要的參數(數據保存、程序/擦寫周期耐受性及程序設計時間)方面，均能成功做到優異的特性表現。40nm制程節點可整合多種與安全相關的功能性與通訊接口。

　　瑞薩電子40nm閃存IP保證數據可保存20年，并可在最高170℃結合溫度下進行讀取。此外，程序代碼閃存支持120MHz讀取速度，而數據閃存即使在125,000次程序/擦寫周期后，仍可達到業界領先的20年超長數據保存時間。

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