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中國最大規模IGBT半導體產業基地開建

時間:2011-06-01

來源:網絡轉載

導語:中國南車大功率IGBT產業化基地奠基,標志著我國首條8英寸IGBT芯片生產線項目正式啟動

      中國南車大功率IGBT產業化基地奠基,標志著我國首條8英寸IGBT芯片生產線項目正式啟動。項目設計年產8英寸芯片12萬片、IGBT模塊100萬只,中國南車成為國內唯一掌握IGBT芯片設計、芯片制造、模塊封裝、系統應用完整產業鏈的企業,填補了國內相關技術領域的空白。

     IGBT,又稱新型功率半導體器件——絕緣柵雙極型晶體管,是功率半導體器件第三次技術革命的代表性產品,廣泛應用于軌道交通、航空航天、船舶驅動、智能電網、電力電子、新能源汽車等戰略性產業領域,是節能技術和低碳經濟的主要支撐,被業界譽為綠色經濟的核心。未來十年,軌道交通、新能源、電動汽車等綠色經濟產業將保持每年20%—30%的高速增長,IGBT市場發展前景光明。

     目前國內IGBT的主要供應商為外國廠商,為支持我國企業技術突圍,IGBT成為國家產業政策重點支持和扶植的重大科技項目。中國南車大功率IGBT產業化基地建設項目,總投資14億元,預計2013年正式投產。建成后,該基地將具備年產12萬片8英寸IGBT芯片和100萬只大功率IGBT器件的能力,年產值超過25億元,其產業規模和技術實力均達到國際領先水平。產品滿足軌道交通以及電動汽車、風力發電、太陽能發電、智能電網、高壓變頻、工業傳動等多個行業需求,成為我國首個完全依靠自主能力建設的、設計規模最大、技術實力最強、產品型譜最全的大功率IGBT產業化基地,改變核心技術受制于人,產品依賴進口的不利局面,為建設資源節約型和環境友好型社會,促進國民經濟快速健康發展做出重要貢獻。

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