第三代TrenchFET^®功率MOSFET在2mm x 2mm占位面積內及4.5V電壓下提供54mΩ超低導通電阻

賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 3 月 2 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET^®功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK^® SC-70封裝，具有8V柵源電壓和迄今為止雙芯片P溝道器件所能達到的最低導通電阻。

      新的 SiA923EDJ可用于DC-DC轉換器，以及智能手機、MP3播放器、平板電腦和電子書等手持設備中的充電和負載開關。更低的MOSFET導通電阻意味著更低的傳導損耗，從而在這些設備中節省電能并延長兩次充電之間的電池壽命。

      SiA923EDJ在4.5V、2.5V、1.8V和1.5V時分別具有54mΩ、70mΩ、104mΩ和165mΩ的超低導通電阻。具有8V柵源電壓等級且性能最接近的P溝道器件在4.5V、2.5V、1.8V和1.5 V時的導通電阻為60mΩ、80mΩ、110mΩ和170mΩ，分別比SiA923EDJ高10%、12%、5%和3%。

      MOSFET在1.5V電壓下就能導通，因而能夠配合手持設備中常用的電壓更低的柵極驅動器和更低的總線電壓一起工作，不需要在電平轉換電路上浪費空間和成本。SiA923EDJ的低導通電阻使其在峰值電流下的電壓降更小，能夠更好地防止有害的欠壓鎖定事件。緊湊的2mmx 2mm PowerPAK SC-70封裝只有TSOP-6的一半大小，而導通電阻則相近或更佳，并且在相同環境條件下的散熱多65%。

      SiA923EDJ經過了100%的Rg測試，符合IEC 61249-2-21的無鹵素規范及RoHS指令2002/95/EC。MOSFET的典型ESD保護達2500V。

      SiA923EDJ與此前發布的具有12V最大柵源電壓等級的20V SiA921EDJ P溝道MOSFET互為補充。隨著SiA923EDJ的發布，設計者現在可以從具有更高柵極驅動電壓的SiA921EDJ或具有更低閾值電壓及更低導通電阻的器件當中選擇合適的產品。

      新款SiA923EDJ TrenchFET功率MOSFET現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十四周到十六周。