由于全球金融危機和半導體行業的周期性波動，全球半導體產品出貨量從 08年4季度到09年1季度經歷了大幅下滑，主要經濟體的半導體產品出貨量都降到5年以來的最低水平。隨著經濟復蘇，半導體行業實現了強勁復蘇并步入景氣上升階段，到09年4季度半導體產品的出貨量基本恢復到08年的最高水平。

      在2010年，整個半導體產業經歷了非常高的景氣階段，全球各主要經濟體的半導體產品出貨量都屢創新高，進入3季度以后，需求依然非常強勁，出貨量仍在高點。

      過去幾年，中國功率器件市場一直保持增長，中國已經成為全球最大的功率器件市場，隨著中國工業化的深入以及經濟持續發展，功率器件在未來幾年仍將保持增長。而處在增長期的IGBT作為第三代功率器件，由于其開關快、損耗低、通態電流較大等諸多優點，將在未來幾年保持高速的增長。

      電力電子器件的發展經歷了晶閘管（SCR）、可關斷晶閘管（GTO）、晶體管（BJT）、絕緣柵晶體管（IGBT）等階段。目前正向著大容量、高頻率、易驅動、低損耗、模塊化、復合化方向發展，與其他電力電子器件相比，IGBT 具有高可靠性、驅動簡單、保護容易、不用緩沖電路和開關頻率高等特點。

      目前，應用在中壓大功率領域的電力電子器件，已形成GTO、IGCT、OGBT、IEGT相互競爭不斷創新的技術市場，在大功率（1MW），低頻率（1kHz）的傳動領域，如電力牽引機車領域 GTO、IGCT、IGBT 各有優勢，而在高載波頻率、高斬波頻率下，IGBT、IEGT有著廣闊的發展前景，在現階段中壓大功率變頻領域將由這4種電力電子器件構成其主流器件。另外，IGBT在所能應用的范圍正在大范圍的替代了傳統的晶閘管（SCR）、可關斷晶閘管（GTO）、晶體管（BJT）等器件。

      處在增長期的 MOSFET 和 IGBT 則市場上長期由外資廠商占據，由于MOSFET的前端生產工藝同IGBT類似，在國內許多廠商做成功生產出MOSFET系列產品之后將可以轉而試生產IGBT，目前，中環股份、華微電子、士蘭微等都將量產出貨，而東光微電也有可能盡快做出IGBT樣品。

      由于未來幾年工業化持續深入，IGBT 最大的應用領域工業控制領域將保持持續的較高速度增長；同時，由于電磁爐、微波爐、變頻家電以及數碼相機等產品的快速發展，消費電子已經成為IGBT的第二大應用領域，在產品數量上甚至已經超過了工控領域IGBT數量，但是價格相對較低，所以市場規模低于工控領域；值得注意的是，由于變頻家電在整個國內市場的滲透率還比較低，所以還有巨大的發展空間；在汽車電子方面，IGBT 已經全面替代達林頓管成為點火裝臵的首選器件，而IGBT也將隨著汽車在國內的發展保持較高速度的增長；此外，作為關鍵的功率半導體器件，IGBT 在電力傳送、列車牽引、太陽能及風能發電以及新能源汽車方面的應用將明顯受益于國家的智能電網、高鐵建設及新能源建設等宏觀政策。此外，由于 IGBT 本身的技術不斷進步以及各國對能源問題的重視，IGBT 將在中高壓大電流領域替代部分的SCR和GTO產品。