半導體制造商ROHM株式會社（總部設在日本京都），作為1958年以小電子零件生產商起家的企業，經過50多年的迅速發展，已經發展成為了在全球擁有多個生產和研發基地，在元器件領域擁有很高認可度和質量信譽的知名企業。近日，ROHM已經預定了2010年中國（成都）電子展的展位，這是ROHM將市場擴展延伸到中國西部的重要嘗試舉措之一。

      ROHM最近也剛剛開始了肖特基勢壘二極管（SBD）“SCS110A系列”的量產，本系列產品采用了因低功耗、高耐壓而有望成為下一代功率元件材料的 SiC（Silicon carbide：碳化硅）?！癝CS110A系列”產品與其他公司已經量產的SiC-SBD相比，在正向電壓和動作時阻抗等特性上有很大的改善，可以廣泛應用于電動汽車/混合動力車等進行電源轉換的變壓器、轉換器、PFC電路（功率因數校正電路）等領域和其他可能的領域。
      本系列新產品已在2010年4月下旬開始量產和銷售，我們將視市場需求情況逐步擴大生產。生產基地定于晶圓在SiCrystal公司（德國埃爾蘭根市）制造，前期工序在ROHM Apollo Device Co.,Ltd.（福岡縣），后期工序在ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.（泰國）進行。

      最近，在電力電子技術領域，電源轉換時半導體元件所帶來的功耗已成為一個問題，從環保角度出發，行業也在以進一步降低功耗為目標，不斷進行材料特性比硅材料更優越的SiC功率元件的開發研究。在這種趨勢下，2004年ROHM率先采用SiC成功試制出MOSFET產品，并成功試制出采用了SBD和這些元件的功率模塊，在行業中首先推進了SiC元件/模塊的研究和開發。SiC-SBD從2005年開始銷售工程樣品，結合客戶的反饋，我們不斷努力提高可靠性和改善生產性。此外，為了確保高品質的SiC晶圓，ROHM收購了德國SiCrystal公司，以建立SiC元件的一條龍生產體系。

      本次開始量產的“SCS110A系列”產品的反向恢復時間（trr）是15nsec，與以往的硅材料快速恢復二極管（35nsec〜50nsec）相比大幅縮短，恢復過程中的損失減少到約三分之一。因此，變壓器、轉換器、PFC電路中如果采用本系列產品，可以大大降低損耗，從而減少發熱量。此外，相比硅材料快速恢復二極管（FRD），由于其溫度變化時的特性變化極小，散熱片小型化等可望效果顯著。另外，和以往的SiC-SBD相比較，具有反向恢復時間顯著改善、芯片尺寸減小15％左右等優勢。
本系列產品的量產，解決了肖特基勢壘的均一性、高溫處理中形成不必要的高抗保護環層等SiC元件的課題，并且確立了一條龍生產體制。
另外，本系列產品與已經量產的以往SiC-SBD產品相比，工作時阻抗更小、正向電壓更低（VF = 1.5V（標稱值）10A時），溫度特性得到改善，實現了比以往產品都高的效率。

      ROHM將SiC元件業務視為下一代半導體業務的核心技術之一，今后將繼續推進SBD的進一步高耐壓化，強化大電流產品陣容，擴展搭載MOSFET和 SiC元件的IPM（智能功率模塊）等SiC相關產品陣容并實現量產化。