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飛兆半導體和英飛凌科技達成功率MOSFET兼容協議

時間：2010-04-26

來源：英飛凌科技中國有限公司

導語：飛兆半導體公司和英飛凌科技就采用MLP3x3（Power33™）和PowerStage3x3封裝的功率MOSFET達成封裝合作伙伴協議

　　飛兆半導體公司(FairchildSemiconductor)和英飛凌科技(InfineonTechnologies)宣布，兩家公司就采用MLP3x3(Power33™)和PowerStage3x3封裝的功率MOSFET達成封裝合作伙伴協議。

　　兼容協議旨在保證供貨穩定性，同時滿足對同級最佳的DC-DC轉換效率和熱性能的需求。這項協議利用了兩家企業的專業技術，為3A至20A的DC-DC應用提供非對稱、單一n溝道MOSFET。

　　飛兆半導體低壓產品高級副總裁JohnBendel稱：“飛兆半導體和英飛凌實現了引腳輸出的標準化，并在性能水平方面相輔相成，為客戶提供兩個供貨來源以滿足計算、電信和服務器市場對高效率設計的需求。這一攬子協議(packagealignment)的目的是通過多個來源和行業標準封裝，為客戶提供性能領先的產品。”

　　英飛凌科技低壓MOSFET產品總監兼產品線經理RichardKuncic表示：“我們不單通過減少市場上的‘獨有’封裝種類，能夠使客戶從功率產品封裝的標準化中獲益，還能夠以相較上一代產品更小的占位面積，帶來提升效能水平的解決方案。”

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