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國際首次,中國芯片再突破!

時間:2024-04-19

來源:全球半導體觀察

導語:據四川日報報道,成都電子科技大學信息與量子實驗室研究團隊與清華大學、中國科學院上海微系統與信息技術研究所合作,在國際上首次研制出氮化鎵量子光源芯片,這是電子科技大學“銀杏一號”城域量子互聯網研究平臺取得的又一項重要進展。

       據四川日報報道,成都電子科技大學信息與量子實驗室研究團隊與清華大學、中國科學院上海微系統與信息技術研究所合作,在國際上首次研制出氮化鎵量子光源芯片,這是電子科技大學“銀杏一號”城域量子互聯網研究平臺取得的又一項重要進展。

  目前,量子光源芯片多使用氮化硅等材料進行研制,與之相比,氮化鎵量子光源芯片在輸出波長范圍等關鍵指標上取得突破,輸出波長范圍從25.6納米增加到100納米,并可朝著單片集成發展。

  報道稱,研究團隊通過迭代電子束曝光和干法刻蝕工藝,攻克高質量氮化鎵晶體薄膜生長、波導側壁與表面散射損耗等技術難題,在國際上首次將氮化鎵材料運用于量子光源芯片。

  量子光源芯片是量子互聯網的核心器件,可以看作是點亮“量子房間”的“量子燈泡”,讓聯網用戶擁有進行量子信息交互的能力。

  據電子科技大學基礎與前沿研究院教授、天府絳溪實驗室量子互聯網前沿研究中心主任周強解釋,通過為量子互聯網的建設提供更多波長資源,可以滿足更多用戶采用不同波長接入量子互聯網絡的需求。這意味著,“量子燈泡”可以點亮更多房間。

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