光刻機大廠ASML宣布,與韓國三星電子簽署備忘錄,將共同投資1萬億韓元在韓國建立研究中心,并將利用下一代極紫外(EUV)光刻機研究先進半導體制程技術。
值得一提的是,上個月初有消息表示,三星電子在五年內從ASML采購50套設備,每套單價約為2000億韓元,總價值可達10萬億韓元。
三星電子于2022年6月推出了全球首個采用全柵極(GAA)技術的3納米半導體芯片制程技術后,三星一直在努力確保能采購更多EUV光刻機,目標是使該公司能在2024年上半年進入第二代3納米制程技術,2025年進入2納米制程技術,并在2027年進入1.4納米半導體制程技術領域。
正因如此,三星集團董事長李在镕在2022年6月訪問了ASML總部,與ASML執行長Peter Bennink討論了EUV的采購問題,并在同年11月與訪問韓國的Peter Bennink進行了進一步會談。鑒于EUV光刻機從下訂到交貨的時間至少需要一年,當時的會面討論開始在現在開花結果。
另外,先前ASML也曾經表示,計劃在2023年底前發表首臺商用High-NA (NA=0.55) EUV光刻機,并在2025年量產出貨。這使得自2025年開始,客戶就能從數值孔徑為0.33傳統EUV多重圖案化,切換到數值孔徑為0.55 High-NAEUV單一圖案化,降低制程成本,提高產量。目前,預估 High-NA EUV 曝光季將會有五大客戶,包括英特爾、臺積電、三星、美光等。