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晶圓代工廠商持續發力3D芯片封裝技術

時間：2023-11-16

來源：全球半導體觀察

導語：據悉，三星SAINT將被用來制定各種不同的解決方案，可提供三種類型的封裝技術，分別是垂直堆棧SRAM和CPU的SAINT S;CPU、GPU等處理器和DRAM內存垂直封裝的SAINT D;應用處理器(AP)堆棧的SAINT L。

       近期，媒體報道三星電子就計劃2024年推出先進3D芯片封裝技術SAINT(三星高級互連技術)，能以更小尺寸的封裝，將AI芯片等高性能芯片的內存和處理器集成。

　　據悉，三星SAINT將被用來制定各種不同的解決方案，可提供三種類型的封裝技術，分別是垂直堆棧SRAM和CPU的SAINT S;CPU、GPU等處理器和DRAM內存垂直封裝的SAINT D;應用處理器(AP)堆棧的SAINT L。

　　目前，三星已經通過驗證測試，但計劃與客戶進一步測試后，將于明年晚些時候擴大其服務范圍，目標是提高數據中心AI芯片及內置AI功能手機應用處理器的性能。

　　近年，隨著半導體元件微縮制程逼近物理極限，3D芯片先進封裝技術備受業界重視，晶圓代工大廠也持續發力。除了三星之外，臺積電、英特爾與聯電亦在積極布局3D芯片先進封裝技術。

　　其中，臺積電正大手筆測試和升級3D芯片間堆疊技術SoIC，以滿足蘋果和英偉達等客戶需求;英特爾已經開始使用新一代 3D芯片封裝技術Fooveros制造先進芯片;聯電則于本月初推出晶圓對晶圓(W2W)3D IC項目，利用硅堆疊技術提供高效整合內存和處理器的尖端解決方案。

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