10月13日，日本佳能公司宣布推出FPA-1200NZ2C納米壓印半導體制造設備，該設備執行電路圖案轉移，這是最重要的半導體制造工藝。
隨著掩模技術的進一步改進，日本佳能公司預計，NIL(Nano Imprint Lithography，NIL)納米壓印技術將有可能支持電路圖案化的最小線寬為10nm，相當于2nm節點。據悉，佳能于2014年收購了MII公司，將其更名為Canon Nanotechnologies，從此正式進入NIL市場。
納米壓印技術，即Nanoimprint Lithography(NIL)，是一種新型的微納加工技術，最先由華裔科學家周郁(Stephen Chou)教授于1995年首次提出納米壓印概念。直到2003年，NIL作為一項微納加工技術，被納入國際半導體技術藍圖(ITRS)。該技術將設計并制作在模板上的微小圖形，通過壓印等技術轉移到涂有高分子材料的硅基板上。
佳能介紹稱，傳統的光刻設備通過將電路圖案投射到涂有抗蝕劑的晶圓上，新產品則通過在晶圓上的抗蝕劑上壓印有電路圖案的掩模來實現這一點。由于其電路圖案轉移過程不經過光學機構，因此可以在晶圓上忠實地再現掩模上的精細電路圖案。
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