近日，歐洲確立了一項高達6000萬歐元(約合人民幣4.55億元)的氮化鎵(GaN)科研項目，旨在建立從功率芯片到模塊的完整供應能力。

　　除了牽頭人英飛凌，另有其45家合作伙伴參與其中。

　　毫無疑問，這項規模大且投入高的GaN項目，凸顯了英飛凌加碼布局三代半的決心。某種程度上，這也將成為歐洲提高芯片制造份額、打造彈性供應鏈的重要一步。

　　巨頭扎堆

　　作為全球大的功率半導體供應商，英飛凌對GaN的投入，想必不用多說。

　　去年2月份，英飛凌宣布將斥資逾20億歐元，在馬來西亞居林工廠建造第三個廠區，以生產SiC和GaN功率半導體。同時其表示，未來將對奧地利菲拉赫工廠的Si生產線進行改造，轉換為SiC和GaN的產能。

　　而早些時候，英飛凌宣布和GaN Systems簽署了最終協議，將以8.3億美元收購后者。稍顯激進的擴張動作，持續推進的GaN技術路線圖，無一不證明英飛凌對這塊“蛋糕”的垂涎。

　　2021年全球前十大功率半導體廠商排名中，英飛凌憑借收入優勢位列前位，其后分別是安森美、意法半導體、三菱電機、富士電機、東芝、威世、安世半導體、瑞薩電子以及羅姆。

　　這里面幾乎每一家公司都在加快布局GaN。

　　從三代半功率器件的應用來看，消費類產品電源、工業和商業類電源以及新能源汽車為主要市場。尤其隨著新能源汽車滲透率不斷提高，對節能、對充電效率的要求越來越高，三代半的潛力愈發突出。

　　GaN功率器件主要用于車載充電器和DC-DC轉換器等領域。相比于Si，GaN可以將充電速度提高至少三倍;相比SiC，其在耐高溫、耐高頻和耐高壓上也更具優勢。

　　但目前受限于晶圓制備工藝和成本因素，GaN的產量遠不及SiC，進而應用速度稍顯落后。

　　等待“上量”的國產GaN

　　根據Yole的預測，2023年SiC滲透率將達到3.75%，而GaN滲透率則會達到1.0%。

　　正如賽迪顧問新材料產業研究中心首席分析師李龍在2022世界半導體大會上所言，第三代半導體行業總體上看處于發展早期階段，任何一個玩家若能實現技術突破，就可以改變目前的市場格局。

　　因而三代半也被視為本土玩家換道超車的重要領域。

　　近年來，多家本土企業逐步掌握了GaN晶圓制造的能力，以此為基礎，中游GaN器件廠商也在馬不停蹄地建設產能。包括三安光電、英諾賽科、賽微電子、華潤微、能華微電子等多家公司都在積極推進GaN器件的落地與商用。

　　英諾賽科是全球一家采用8英寸晶圓的GaN器件制造商。

　　今年第一季度，英諾賽科的氮化鎵芯片出貨量突破了5000萬顆，銷售額達1.5億，是去年同期的4倍。同時，依靠8英寸硅基氮化鎵IDM全產業鏈的優勢，英諾賽科40V/100V/150V低壓平臺也實現全面升級， 40V雙向導通產品、100V半橋驅動合封產品等多系列產品相繼發布。

　　值得一提的是，國內頭部車企已將英諾賽科氮化鎵用于車載激光雷達產品上，且已經量產。

　　華潤微方面，GaN 600V / 900V系列化產品均已發布并推向市場;而賽微電子也推出了數款 GaN 功率芯片產品，并進入小批量試產。

　　賽微電子也表示，公司將持續布局 GaN 產業鏈，以參股方式建設 GaN 芯片制造產線，積極推動技術、工藝、產品積累，以滿足下一代功率與微波電子芯片對于大尺寸、高質量、高一致性、高可靠性 GaN 外延材料以及 GaN 芯片的需求。

　　接下來，隨著GaN 國產化水平不斷提升，誰能真正換道超車并在新能源汽車市場搶占一席之地，將成為市場的一個新看點。