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百思特達氮化鎵半導體芯片項目竣工，進入試生產階段

時間：2023-01-11

來源：全球半導體觀察

導語：據悉，氮化鎵半導體芯片項目的建成達產，可為百思特達增加10條氮化鎵外延生產線，實現年產10萬片氮化鎵外延片和10億顆氮化鎵芯片的產能提升。

       據盤錦高新技術產業開發區消息，目前，遼寧百思特達半導體科技有限公司(以下簡稱“百思特達”)的氮化鎵半導體芯片項目已經進入產品試生產階段。

　　消息顯示，百思特達是一家集研發、設計、生產、銷售、服務于一體的綜合性高科技企業，始終致力于開創中國半導體氮化鎵芯片領域的科技新格局。該公司投資3億元建設的氮化鎵半導體芯片項目，占地面積125畝，總建筑面積51302.28平方米，其中包括2棟氮化鎵外延片及芯片生產車間、1棟芯片封裝及應用產品生產制造車間、1棟成品庫房、1棟制氫站、1棟研發中心及綜合管理用房等建設內容。

　　2022年12月中旬，氮化鎵半導體芯片項目全面竣工投產，在完成廠務動力設備包含電力設備系統、水設備系統、氣化設備系統、FFU系統等調試工作后，并同步對MOCVD、烤盤爐等一系列生產設備的一、二、三階調試完成后，開始進行產品試生產。

　　據悉，氮化鎵半導體芯片項目的建成達產，可為百思特達增加10條氮化鎵外延生產線，實現年產10萬片氮化鎵外延片和10億顆氮化鎵芯片的產能提升。

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