三星本周概述了其涵蓋下一代制造工藝以及擴大生產能力的長期路線圖。路線圖表明該公司沒有放緩開發和部署新制造技術以及擴大制造能力以滿足未來對先進芯片的需求的計劃。

　　據日經新聞報道， 三星代工計劃到2025 年開始使用其下一代 2nm 制造工藝制造芯片，到 2027 年開始使用其 1.4nm 生產節點。今年早些時候，三星開始使用其第一代 3nm 制造技術(也稱為3GAE或 gate-all-around early)制造半導體。2024 年，該公司將采用其第二代 3nm 節點(也稱為 3GAP，或gate-all-around plus)。

　　由于開發新的制造工藝并將其用于量產變得越來越困難，三星的 2nm(或 20 埃)節點將在大約兩年內準備就緒也就不足為奇了。根據目前的路線圖，當三星準備好其 2nm 技術時，其競爭對手英特爾將在 2024 年中期開始使用其 20A 節點，并在 2025 年中期開始使用 18A 節點。與此同時，臺積電計劃在 2025 年下半年開始使用其 2nm 節點進行大批量生產，并在 2026 年初交付第一批芯片。

　　近年來，三星在新晶圓廠投入巨資，旨在為其三星代工客戶生產更先進的片上系統以及復雜的 3D NAND 和 DRAM 芯片。幾年來，該公司在先進的半導體生產能力上花費的資金幾乎比業內任何公司都多——而且它顯然沒有放緩投資的計劃。

　　據路透社援引該公司官員的報道稱，三星計劃到 2027 年將其先進芯片的產能增加兩倍 。三星沒有透露確切的目標以及它認為的先進產能，但可以肯定的是，該公司將繼續投資于新的半導體產能。

　　三星不僅需要為無晶圓廠客戶制造領先的芯片，還需要為自己的產品制造領先的芯片，包括消費電子汽車應用、5G 和 6G 連接以及其他產品。

　　為了滿足對其自有和第三方芯片的需求，三星正在德克薩斯州泰勒附近建造全新的全新晶圓廠，并計劃擴大其在韓國的生產能力。據彭博社援引該公司官員的一份報告稱，德克薩斯州的工廠預計將于 2024 年開始使用該公司的 3nm 級節點之一進行大批量生產 。