SAMSUNG近年一直致力于增加光刻膠供應商的計劃，希望推動光刻膠供應鏈的多元計劃，去年的時候就傳出已經完成對Inpria光刻膠的性能評估并開始導入使用。Inpria擁有專注于EUV曝光工藝的差異性能光刻膠，是目前EUV時代超精細半導體工藝的核心材料，tsmc、Intel、SK海力士等世界知名半導體公司均對其進行了投資并支持其商業化。
近日，SAMSUNG取消增加光刻膠供應商的計劃使得目前其3D NAND芯片的光刻膠仍由Dongjin Semichem獨家供應，據悉SAMSUNG在過去和多家日本的光刻膠供應商合作洽談，而這些洽談的廠商沒有滿足SAMSUNG的技術細節要求。
光刻膠又稱光致抗蝕劑，是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射，其溶解度發生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。在光刻工藝過程中，用作抗腐蝕涂層材料。半導體材料在表面加工時，若采用適當的有選擇性的光刻膠，可在表面上得到所需的圖像，是非常重要的光刻材料之一。
根據顯影效果不同，光刻膠可分為正性、負性2大類，正性光刻膠，暴露在紫外線下的區域會改變結構，變得更容易溶解從而為刻蝕和沉積做好準備;如果曝光部分被保留下來，而未曝光被溶解，該涂層材料為負性光刻膠。正性光刻膠可以達到更高的分辨率，從而讓它成為光刻階段更好的選擇，因此正性光刻膠是當前半導體制造的主流。
按曝光光源和輻射源的不同，又分為紫外光刻膠(包括紫外正、負性光刻膠)、深紫外光刻膠、X-射線膠、電子束膠、離子束膠等。光刻膠主要應用于顯示面板、集成電路和半導體分立器件等細微圖形加工作業。光刻膠生產技術較為復雜，品種規格較多，在電子工業集成電路的制造中，對所使用光刻膠有嚴格的要求。
光刻膠首先是在計算芯片上使用率最多，正占比超過一半，然后是存儲芯片。對于SAMSUNG這種存儲大廠來說，是3D NAND閃存芯片制作過程中非常關鍵的材料。NAND工藝的3D堆疊架構可以獲得更大的存儲容量，光刻次數隨著層數增加而增加，因此KrF光刻膠對于SAMSUNG來說需求量是非常大的。
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