據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，9月7日，三星電子宣布，其位于韓國(guó)平澤地區(qū)的P3工廠的NAND Flash產(chǎn)線已正式開始運(yùn)營(yíng)。
三星電子平澤園區(qū)P3工廠是世界上最大的半導(dǎo)體工廠，于2020年開始建設(shè)，占地70萬平方米，將成為全球最大晶圓廠廠區(qū)，是三星P2晶圓廠1.7倍，自今年7月以來已開始生產(chǎn)最先進(jìn)的NAND閃存。
未來根據(jù)市場(chǎng)需求，三星計(jì)劃在平澤3號(hào)線擴(kuò)建和建設(shè)基于EUV工藝的DRAM和5納米以下代工工藝等各種先進(jìn)生產(chǎn)設(shè)施。
此外，為應(yīng)對(duì)未來半導(dǎo)體市場(chǎng)需求，三星電子也已開始籌備P4工廠的開工。盡管尚未確定平澤P4工廠開工日期和應(yīng)用產(chǎn)品，但三星電子表示，正在推進(jìn)基礎(chǔ)工作，以便能夠快速應(yīng)對(duì)未來半導(dǎo)體市場(chǎng)的需求變化。
資料顯示，三星電子是全球最大的存儲(chǔ)器廠商，市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，2022年第二季度，三星電子NAND Flash營(yíng)收為59.8億美元，市占率33%。
三星電子總裁Kye-hyeon(DS部門負(fù)責(zé)人)表示：“如果存儲(chǔ)半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)先其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手一代，我們可以降低10%的生產(chǎn)成本和10%的價(jià)格。這是三星電子一直在做的事情，未來將繼續(xù)保持這一戰(zhàn)略。”
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