近日，三星在半導體制程工藝和NAND Flash閃存領域消息不斷。

　　擴產4納米，Q4每月新增產能2萬片

　　繼今年6月搶先宣布量產3納米工藝之后，市場又有消息稱三星計劃在第四季度擴產4納米制程。

　　據韓國媒體infostockdaily報道，三星4納米在良率顯著提升下，正著手擴產，預計今年第4季每月新增上看2萬片產能。

　　報道稱，三星晶圓代工4納米制程因為良率提升至約六成，因此隨客戶需求提升而決議擴產，并規劃在4納米豪擲約5萬億韓元投資，欲爭取更多高通、超威、英偉達等大廠代工訂單。

　　業界指出，三星集團晶圓代工產能過往約六成提供自家芯片生產，其余承接委外訂單，今年持續積極擴產，并擴大承接晶圓代工訂單，將自家芯片產能占比降至五成，借此在存儲器市況逆風下，提升半導體事業獲利。

　　對于相關消息，三星表示，無法確認產量和投資增加問題。

　　236層NAND Flash產品在路上

　　韓國媒體BusinessKorea報導，三星今年將發布236層堆疊NAND Flash快閃存儲器產品，還計劃本月開設一個新的研發中心，負責更先進NAND Flash產品研發。

　　當前存儲器制造商不斷增加NAND Flash堆疊層數，以求更高效益。例如，西數與鎧俠計劃2022年底前開始量產162層閃存產品。未來，雙方還將發力200+層閃存技術，并計劃2032年之前陸續推出300+層以上、400+層與500+層閃存技術。

　　美光科技已于今年7月宣布開發全球首款232層堆疊NAND Flash，產品現已在美光新加坡工廠量產。未來，美光還將發力2YY、3XX與4XX等更高層數。

　　今年8月初，SK海力士也宣布成功研發全球首款業界最高層數的238層NAND閃存，并計劃在2023年上半年正式投入量產。

　　至于三星，盡管其作為全球最大的NAND Flash廠商，目前市占率高達35%，但研發記錄還停留在176層。迫于競爭對手的壓力，三星計劃憑借生產技術、價格以及性能競爭力，將NAND Flash堆疊層數增加60層。

　　不過，三星236層堆疊NAND Flash推出的具體時間，還有待后續關注。